本技術涉及電子器件和電子器件的制造方法。具體地，本技術涉及設置有電容元件的電子器件以及用于電子器件的制造方法。

背景技術：

1、為了吸收負載的電流變化并抑制電源電壓的波動和噪聲的產生，存在電容元件形成在半導體器件、電路板等中的情況。例如，提出了在覆蓋配線基板的第一主面的絕緣膜上形成電容元件的半導體器件，該配線基板也可以是設有貫通電極的配線(例如參照ptl1)。另外，提出了在設置于絕緣基板的通孔的內周面形成電容元件的半導體器件(例如參照ptl2)。

2、[引用列表]

3、[專利文獻]

4、ptl?1：jp-2012-227266a

5、ptl?2：jp-2020-141090a

技術實現思路

1、[技術問題]

2、然而，利用上述現有技術，由于電容元件形成在通孔的內周面上，所以存在元件區域在通孔的位置可能減小的可能性。

3、鑒于上述情況，提出了本技術，并且期望形成連接至貫通電極的電容元件，同時抑制元件區域的減小。

4、[問題的解決方案]

5、根據本公開的實施方式，提供了一種電子器件，包括：基板；穿透基板的第一通孔；基板上方的電容元件；以及第一導體膜。該第一導體膜的第一部分沿著第一通孔的側壁穿過基板，并且第一導體膜的第二部分與電容元件接觸?；灏ò雽w元件的半導體基板和包含布線的布線基板中的一者或兩者。電容元件包括上電極、下電極以及在上電極和下電極之間的介電膜，第一導體膜的第二部分與上電極接觸，并且電子器件進一步包括第二導體膜和穿透基板的第二通孔。第二導體膜的第一部分沿著第二通孔的側壁穿過基板，并且第二導體膜的第二部分與下電極接觸。上電極和下電極各自包含tin、tan和wn中的一種或多種。所述介電膜包含sio2、si3n4、hfo2、al2o3、zro2和hfalo中的一種或多種。介電膜和下電極具有基本上彼此相等的平面尺寸，并且上電極具有比介電膜和下電極中的每個的平面尺寸小的平面尺寸。該電子器件還包括在該電容性元件上的密封膜。密封膜包含si3n4和al2o3中的一種或多種。第二導體膜的第三部分通過密封膜與上電極分離?；迮c下電極之間的寄生電容等于或小于電容元件的電容的十分之一。該電子器件進一步包括：電容元件上的絕緣膜；以及電容元件上方的布線和外部連接端子中的一者或多者，絕緣膜介于其間。該電子器件進一步包括覆蓋第一通孔的開口的光敏絕緣樹脂膜?；灏喜?，電容元件嵌入該溝槽中。電子器件進一步包括設置在溝槽中的空腔。電子器件進一步包括設置在空腔上方的絕緣膜。電容元件包括具有彼此不同的極性并且具有彼此相對的側面的電容電極。第一導體膜包括連接到電容元件的電容電極的多個通孔。電容元件包括具有彼此不同的平面尺寸的多個電容元件。電容元件包括在下電極上方的多個上電極，其中所述多個上電極具有彼此不同的平面尺寸。該電子器件進一步包括通過該上電極之間的間隙連接到下電極的過孔。第一通孔穿透電容元件。該電子器件進一步包括位于基板的底面上且與第一導體膜的第一部分接觸的布線層。基板的底表面與基板的頂面相對。該電子器件進一步包括連接到布線層的半導體芯片。該半導體芯片包括固態成像裝置。根據本公開的一方面，提供了一種電子器件，包括：基板；位于基板上方的電容元件；以及穿透基板和電容元件的貫通電極。貫通電極包括第一導體膜的第一部分，并且其中第一導體膜的第二部分與電容元件接觸。

6、根據本公開的一方面，提供了一種電子器件，包括：半導體基板；布線層，位于半導體基板的正面側上；貫通電極，穿透半導體基板并且與布線層連接；溝槽，在半導體基板的背面中；電容元件，嵌入溝槽中；以及布線，將貫通電極連接到電容元件。布線包括導體膜，其中貫通電極包括導體膜的一部分。電容元件的至少一部分沿著溝槽的側壁延伸，并且溝槽的側壁包括紋理化表面。電子器件進一步包括溝槽中的空腔。根據本公開的一方面，提供了一種用于制造電子器件的方法，該方法包括：在基板上形成電容元件；在基板中形成通孔；以及沿著通孔的側壁形成貫通電極。貫通電極電連接至電容元件。貫通電極包括導體膜的一部分。貫通電極電連接至電容元件。電子器件的制造方法進一步包括形成覆蓋通孔的側壁和電容元件的絕緣膜并且從通孔的底面移除絕緣膜以在絕緣膜中形成開口。電子器件的制造方法進一步包括在電容元件上形成密封膜。通過使用密封膜作為蝕刻制動器蝕刻絕緣膜來移除絕緣膜的部分。

7、根據本技術的第一模式，提供了一種電子器件，包括：基板；通孔，穿透基板；貫通電極，形成在通孔的側壁上；電容元件，形成在基板上(或上方)；以及線路，通過延伸用于貫通電極的導體膜而形成(或導體膜的一部分沿著通孔的側壁穿過基板)并且連接至(或接觸)電容元件。例如，貫通電極可包括導體膜的一部分，可沿通孔的側壁穿過基板。這帶來與電容元件連接的線路和貫通電極由同一層的導體膜構成的有益效果。

8、此外，在第一模式中，基板可以包括形成半導體元件的半導體基板或形成線的布線基板。這帶來在形成有電容元件的基板上形成貫通電極的有益效果。

9、此外，在第一模式中，電容元件可以包括上電極、下電極以及位于上電極與下電極之間的介電膜，貫通電極可以包括第一貫通電極，以及第二貫通電極，并且線路可以包括第一線路和第二線路，第一線路通過延伸用于第一貫通電極的導體膜而形成，并且連接至上電極或者與所述上電極接觸，例如，導體膜的一部分可與上電極連接或接觸，第二線路通過延伸用于第二貫通電極的導體膜而形成，并且連接至下電極或與下電極接觸，例如，第二導體膜可以沿著第二通孔的側壁穿過基板并且連接至下電極或者與下電極接觸。這帶來將貫通電極配置在形成于基板上的電容元件的附近的有益效果。

10、此外，在第一模式中，上電極和下電極可以各自包含tin、tan和wn中的至少一種。這帶來確保電容元件的可靠性的有益效果。

11、此外，在第一模式中，介電膜可以至少包含sio2、si3n4、hfo2、al2o3、zro2和hfalo中的任意一種。這帶來確保電容元件的可靠性的有益效果。

12、此外，在第一模式中，介電膜和下電極可以具有基本上彼此相等的平面尺寸，并且上電極可以具有比介電膜和下電極的平面尺寸小的平面尺寸。這帶來確保與下電極的接觸的有益效果。

13、此外，在第一模式中，電子器件可以進一步包括形成在電容元件上并且包括si3n4和al2o3中的至少任意一種的密封膜。這帶來電容元件被密封的有益效果。

14、此外，在第一模式中，電子器件可進一步包括形成在上電極上的電容電極，密封膜介于電容電極與上電極之間，并且由用于第二線路的導體膜配置。由此，具有如下效果：能夠抑制電容元件的平面尺寸的增大，并且增大電容元件的電容，并且與電容元件連接的線路和貫通電極由同一層的導體膜構成。

15、此外，在第一模式中，電子器件可進一步包括形成在電容元件上的絕緣膜，以及形成在電容元件上方的線路(或布線)和外部連接端子中的至少任意一者，絕緣膜介于線路和外部連接端子中的至少任意一者與電容元件之間。這帶來線路和外部連接端子以及電容元件以重疊關系布置的有益效果。

16、此外，在第一模式中，基板與下電極之間的寄生電容可以等于或小于電容元件的電容的1/10。這帶來抑制噪聲的有益效果。

17、此外，在第一模式中，電子器件可進一步包括例如通過覆蓋通孔的開口覆蓋通孔的光敏絕緣樹脂膜。這帶來在簡化感光性絕緣樹脂膜的圖案化的同時在通孔內形成空腔(或凹部、空洞)的有益效果。

18、此外，在第一模式中，基板可以進一步包括溝槽，電容元件形成(或嵌入)在溝槽中。這帶來如下有益效果：在抑制元件區域減小的同時，增大基板上形成的電容元件的電容。

19、此外，在第一模式中，電子器件可進一步包括設置在溝槽中的空腔。這帶來如下有益效果：能夠防止由形成在溝槽內的電容元件引起的基板的翹曲。

20、此外，在第一模式中，電子器件可以進一步包括設置在空腔上(或上方)的絕緣膜。這帶來了如下有益效果：設置有空腔的溝槽中的電容元件被密封。

21、此外，在第一模式中，電容元件可以包括具有彼此不同的極性并且具有彼此相對的側面的電容電極。這帶來如下有益效果：在抑制平面尺寸的增加的同時增加電容元件的電容。

22、此外，在第一模式中，線路可以包括連接到電容元件的電容電極的多個通孔。這帶來電容元件的電勢穩定的有益效果。

23、此外，在第一模式中，電容元件可以包括具有彼此不同的平面尺寸的多個電容元件。這帶來如下有益效果：具有彼此不同的特性的電容元件形成在基板上。

24、此外，在第一模式中，電容元件可以包括布置在下電極上并且具有彼此不同的平面尺寸的多個上電極。這帶來如下有益效果：在不分離下電極的情況下形成具有彼此不同的特性的電容元件。

25、此外，在第一模式中，電子器件可進一步包括通過上電極之間的間隙連接至下電極的通孔。這帶來如下有益效果：在形成特性彼此不同的電容元件的同時，使下電極的電勢穩定。

26、此外，在第一模式中，貫通電極可以穿透電容元件。這帶來了如下有益效果：減少了在電容元件外部布置貫通電極所需的空間。

27、此外，在第一模式中，電子器件可進一步包括布線層和半導體芯片，布線層形成在基板的與電容元件的形成面相對側的面(諸如底面，底面與基板的頂面相對)上并且連接至貫通電極或者與貫通電極接觸(諸如導體膜的一部分)，半導體芯片連接至布線層，并且其中形成有固態成像裝置。這帶來使封裝的固態成像元件的工作穩定的有益效果。

28、同時，根據第二模式，電子器件可以包括基板、形成在基板上(或上方)的電容元件、以及穿透基板和電容元件的貫通電極。這帶來了如下有益效果：減少了在電容元件外部布置貫通電極所需的空間。

29、此外，在第二模式中，電子器件可進一步包括通過延伸用于貫通電極的導體膜形成的線路并且連接至電容元件。這帶來如下有益效果：與電容元件連接的線路和貫通電極由同一層的導體膜構成。

30、此外，在第三模式中，電子器件可以包括：半導體基板；布線層，形成在半導體基板的正面側上；貫通電極(或通孔)，穿透半導體基板并且連接到布線層；溝槽，形成在半導體基板的背面側(或背面)上；電容元件，形成在溝槽中；以及線路，將貫通電極和電容元件彼此連接。這帶來如下有益效果：在基板上形成的電容元件的電容增加，同時元件區域的減小被抑制。

31、此外，在第三模式中，可以通過延伸用于貫通電極的導體膜來配置線路。這帶來如下有益效果：與電容元件連接的布線和貫通電極由同一層的導體膜構成。

32、此外，在第三模式中，電容元件可以沿著溝槽的側壁形成(或者可以延伸)，并且溝槽可以具有形成在其側壁上的不規則的(或紋理化的)表面。這帶來了如下有益效果：抑制了溝槽的深度的增加的同時，增加了在基板上形成的電容元件的電容，同時。

33、此外，在第三模式中，電子器件可進一步包括設置在溝槽中的空隙。這帶來如下有益效果：能夠防止內溝槽內形成電容元件導致的基板的翹曲。

34、此外，在第四模式中，用于電子器件的制造方法(或用于制造)可以包括：在基板上形成電容元件；在形成有電容元件的基板中形成通孔；以及在通孔的側壁上形成電連接至電容元件的貫通電極(諸如沿著通孔的側壁)。這帶來如下有益效果：在基板上形成電容元件的同時，防止電容元件形成在通孔中。

35、此外，在第四模式中，用于貫通電極的導體膜可以被延伸，并且電連接到電容元件。例如，貫通電極可包括導體膜的一部分，并且導體膜的一部分可電連接至電容元件或與電容元件接觸。這帶來了如下有益效果：連接至電容元件的線路和貫通電極由相同的工藝形成。

36、此外，在第四模式中，制造方法可以進一步包括形成覆蓋通孔的側壁和電容元件的絕緣膜，并且從通孔的底面去除絕緣膜，并且在電容元件上的絕緣膜中形成開口。這帶來了如下有益效果：相同的絕緣膜用于貫通電極和基板的絕緣以及連接到電容元件的線路的絕緣。

37、此外，在第四模式中，制造方法可以進一步包括在形成于基板上的電容元件上形成密封膜，并且當在電容元件上的絕緣膜中形成開口時，密封膜可以用作蝕刻阻擋件。例如，可以通過使用密封膜作為蝕刻阻擋件蝕刻絕緣膜來去除絕緣膜的一部分。這帶來如下有益效果：在電容元件上的絕緣膜中形成開口的同時，抑制過度蝕刻。