1.一種電子器件，包括：
2.根據權利要求1所述的電子器件，其中，
3.根據權利要求1所述的電子器件，其中，
4.根據權利要求3所述的電子器件，其中，所述上電極和所述下電極各自包含tin、tan和wn中的一種或多種。
5.根據權利要求3所述的電子器件，其中，所述介電膜包含sio2、si3n4、hfo2、al2o3、zro2和hfalo中的一種或多種。
6.根據權利要求3所述的電子器件，其中，所述介電膜和所述下電極具有基本上彼此相同的平面尺寸，并且所述上電極具有比所述介電膜和所述下電極中的每個的平面尺寸小的平面尺寸。
7.根據權利要求3所述的電子器件，進一步包括：在所述電容元件上的密封膜，所述密封膜包含si3n4和al2o3中的一種或多種。
8.根據權利要求7所述的電子器件，其中，所述第二導體膜的第三部分通過所述密封膜與所述上電極分離。
9.根據權利要求3所述的電子器件，其中，所述基板與所述下電極之間的寄生電容等于或小于所述電容元件的電容的十分之一。
10.根據權利要求1所述的電子器件，進一步包括：所述電容元件上的絕緣膜；以及
11.根據權利要求1所述的電子器件，進一步包括：覆蓋所述第一通孔的開口的光敏絕緣樹脂膜。
12.根據權利要求1所述的電子器件，其中，所述基板包括溝槽，所述電容元件嵌入所述溝槽中。
13.根據權利要求12所述的電子器件，進一步包括：空腔，設置在所述溝槽中。
14.根據權利要求13所述的電子器件，進一步包括：絕緣膜，設置在所述空腔的上方。
15.根據權利要求1所述的電子器件，其中，所述電容元件包括具有彼此不同的極性并且具有彼此相對的側面的電容電極。
16.根據權利要求1所述的電子器件，其中，所述第一導體膜包括連接至所述電容元件的電容電極的多個過孔。
17.根據權利要求1所述的電子器件，其中，所述電容元件包括具有彼此不同的平面尺寸的多個電容元件。
18.根據權利要求1所述的電子器件，其中，所述電容元件包括在下電極上方的多個上電極，其中所述多個上電極具有彼此不同的平面尺寸。
19.根據權利要求18所述的電子器件，進一步包括：過孔，通過所述上電極之間的間隙連接到所述下電極。
20.根據權利要求1所述的電子器件，其中，所述第一通孔穿透所述電容元件。
21.根據權利要求1所述的電子器件，進一步包括：
22.一種電子器件，包括：
23.根據權利要求22所述的電子器件，其中，所述貫通電極包括第一導體膜的第一部分，并且其中所述第一導體膜的第二部分與所述電容元件接觸。
24.一種電子器件，包括：
25.根據權利要求24所述的電子器件，其中，所述布線包括導體膜，其中所述貫通電極包括所述導體膜的一部分。
26.根據權利要求24所述的電子器件，其中，所述電容元件的至少一部分沿著所述溝槽的側壁延伸，并且所述溝槽的所述側壁包括紋理化表面。
27.根據權利要求24所述的電子器件，進一步包括：所述溝槽中的空腔。
28.一種用于電子器件的制造方法，所述方法包括：
29.根據權利要求28所述的電子器件的制造方法，其中，所述貫通電極包括導體膜的一部分，其中所述貫通電極電連接至所述電容元件。
30.根據權利要求28所述的電子器件的制造方法，進一步包括：
31.根據權利要求30所述的電子器件的制造方法，進一步包括：在所述電容元件上形成密封膜，其中通過使用所述密封膜作為蝕刻阻擋件蝕刻所述絕緣膜來移除所述絕緣膜的部分。