本技術(shù)涉及顯示，尤其涉及一種顯示面板、顯示面板的制備方法及顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、有機發(fā)光二極管(organic?light?emitting?diode，oled)以及基于發(fā)光二極管(light?emitting?diode，led)等技術(shù)的平面顯示裝置因具有高畫質(zhì)、省電、機身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點，而被廣泛的應(yīng)用于手機、電視、筆記本電腦、臺式電腦等各種消費性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。

2、但目前的oled顯示產(chǎn)品的工藝性能有待提升。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本技術(shù)實施例提供一種顯示面板、顯示面板的制備方法及顯示裝置，旨在提高顯示面板的工藝性能。

2、本技術(shù)第一方面的實施例提供了一種顯示面板，顯示面板包括：基板；隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置于基板的一側(cè)并圍合形成隔離開口，隔離結(jié)構(gòu)包括絕緣材料，且隔離結(jié)構(gòu)具有朝向隔離開口的側(cè)壁面；發(fā)光層，包括位于隔離開口的發(fā)光部，至少部分發(fā)光部和側(cè)壁面接觸連接。

3、根據(jù)本技術(shù)第一方面的實施方式，發(fā)光部的厚度小于或等于隔離結(jié)構(gòu)的厚度。

4、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，還包括：犧牲部，位于發(fā)光部背離基板的一側(cè)。

5、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，犧牲部暴露發(fā)光部的至少部分區(qū)域。

6、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，犧牲部和側(cè)壁面接觸連接。

7、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，犧牲部包括層疊設(shè)置的兩個以上的犧牲子層。

8、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，犧牲部的材料包括氧化物、氮化物、金屬、有機材料中的至少一者。

9、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，多個犧牲子層包括在遠離基板的方向?qū)盈B設(shè)置的第一犧牲子層和第二犧牲子層，第一犧牲子層的材料包括氧化物、氮化物、金屬中的至少一者，第二犧牲子層的材料包括有機材料。

10、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，第二犧牲子層的材料包括含氟有機材料。

11、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，還包括：平坦部，位于隔離結(jié)構(gòu)和犧牲部背離基板的一側(cè)。

12、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，隔離結(jié)構(gòu)在基板的正投影位于平坦部在基板的正投影之內(nèi)。

13、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，平坦部在基板的正投影邊緣位于犧牲部在基板的正投影之內(nèi)。

14、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，沿遠離基板的方向，平坦部的截面逐漸減小。

15、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，平坦部包括背離基板的第一頂面和連接于第一頂面周側(cè)并朝向基板延伸的第一側(cè)面，沿遠離基板的方向，第一側(cè)面沿遠離隔離開口的方向傾斜設(shè)置。

16、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，發(fā)光層還包括覆蓋平坦部和發(fā)光部的第一載流子功能層。

17、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，第一載流子功能層背離基板的一側(cè)設(shè)置有第二電極層。

18、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，第一載流子功能層包括空穴阻擋層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一者。

19、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，隔離結(jié)構(gòu)背離基板的一側(cè)還包括冗余部。

20、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，冗余部環(huán)繞隔離開口設(shè)置。

21、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，冗余部包括兩個以上的冗余子層，兩個以上的冗余子層中，其中一者的材料和發(fā)光部的材料相同，另一者的材料和犧牲部的材料相同。

22、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，隔離結(jié)構(gòu)具有背離基板的第二頂面，發(fā)光部具有背離基板的第三頂面，第三頂面在第二頂面朝向基板的一側(cè)。

23、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，隔離結(jié)構(gòu)包括朝向基板的第二底面，第二底面在基板的正投影位于第二頂面在基板的正投影之內(nèi)。

24、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，沿遠離基板的方向，隔離結(jié)構(gòu)的橫截面逐漸增大，側(cè)壁面沿靠近隔離開口的方向傾斜設(shè)置，

25、或者，隔離結(jié)構(gòu)包括第一子層和位于第一子層背離基板一側(cè)的第二子層，第二頂面位于第二子層背離基板的一側(cè)，第二底面位于第一子層朝向基板的一側(cè)，第一子層在基板的正投影位于第二子層在基板的正投影之內(nèi)。

26、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，隔離結(jié)構(gòu)還包括第三子層，第三子層位于第一子層朝向基板的一側(cè)。

27、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，第一子層在基板的正投影位于第三子層在基板的正投影之內(nèi)。

28、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，隔離結(jié)構(gòu)的材料包括無機材料和/或有機材料。

29、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，隔離結(jié)構(gòu)的材料包括無機材料，隔離結(jié)構(gòu)包括層疊設(shè)置的兩個以上隔離子層，且至少兩個相鄰的隔離子層的材料不同。

30、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，隔離結(jié)構(gòu)的材料包括氧化硅、氮化硅中的至少一者。

31、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，隔離結(jié)構(gòu)的材料包括有機材料，隔離結(jié)構(gòu)一體成型設(shè)置。

32、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，隔離結(jié)構(gòu)包括有機材料和無機材料，隔離結(jié)構(gòu)包括遠離基板的方向?qū)盈B設(shè)置的第一隔離子層和第二隔離子層，第一隔離子層的材料包括有機材料，第二隔離子層的材料包括無機材料。

33、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，還包括像素定義層，像素定義層設(shè)置于基板的一側(cè)，像素定義層包括像素限定部和開設(shè)于像素限定部的像素開口，隔離結(jié)構(gòu)設(shè)置于像素限定部背離基板的一側(cè)，且像素開口和隔離開口連通，至少部分發(fā)光部位于像素開口。

34、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，至少部分發(fā)光部由像素開口延伸至像素限定部背離基板的一側(cè)。

35、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，發(fā)光部包括第一分區(qū)和第二分區(qū)，第一分區(qū)位于像素開口，第二分區(qū)位于像素限定部背離基板的一側(cè)，第二分區(qū)和側(cè)壁面接觸連接。

36、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，第二分區(qū)的厚度小于或等于隔離結(jié)構(gòu)的厚度。

37、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，還包括第一電極，第一電極設(shè)置于基板和隔離結(jié)構(gòu)之間。

38、本技術(shù)第二方面的實施例還提供一種顯示面板的制備方法，包括：

39、在基板上設(shè)置第一導(dǎo)電材料層，并對第一導(dǎo)電材料層進行圖案化處理形成多個間隔分布的第一電極；

40、在第一電極背離基板的一側(cè)設(shè)置第二絕緣材料層，對第二絕緣材料層進行圖案化處理形成開設(shè)有隔離開口的隔離結(jié)構(gòu)，隔離結(jié)構(gòu)具有朝向隔離開口的側(cè)壁面；

41、在隔離結(jié)構(gòu)和第一電極背離基板的一側(cè)設(shè)置發(fā)光材料層，對發(fā)光材料層進行圖案化處理形成位于隔離開口的發(fā)光部，至少部分發(fā)光部和側(cè)壁面接觸連接。

42、根據(jù)本技術(shù)第二方面的實施方式，在隔離結(jié)構(gòu)和第一電極背離基板的一側(cè)設(shè)置發(fā)光材料層，對發(fā)光材料層進行圖案化處理形成位于隔離開口的發(fā)光部，至少部分發(fā)光部和側(cè)壁面接觸連接的步驟中包括：

43、在隔離結(jié)構(gòu)和第一電極背離基板的一側(cè)依次設(shè)置發(fā)光材料層和犧牲材料層，對發(fā)光材料層、犧牲材料層進行圖案化處理形成位于隔離開口的發(fā)光部和犧牲預(yù)備部。

44、根據(jù)本技術(shù)第二方面前述任一實施方式，在隔離結(jié)構(gòu)和第一電極背離基板的一側(cè)依次設(shè)置發(fā)光材料層和犧牲材料層，對發(fā)光材料層、犧牲材料層進行圖案化處理形成位于隔離開口的發(fā)光部和犧牲預(yù)備部的步驟之后還包括：

45、在發(fā)光部、隔離結(jié)構(gòu)背離基板的一側(cè)設(shè)置第三絕緣材料層；

46、對第三絕緣材料層進行圖案化處理形成平坦部，平坦部位于隔離結(jié)構(gòu)和犧牲預(yù)備部背離基板的一側(cè)。

47、根據(jù)本技術(shù)第二方面前述任一實施方式，隔離結(jié)構(gòu)在基板的正投影位于平坦部在基板的正投影之內(nèi)。

48、根據(jù)本技術(shù)第二方面前述任一實施方式，在對第三絕緣材料層進行圖案化處理形成平坦部，平坦部位于隔離結(jié)構(gòu)和犧牲預(yù)備部背離基板的一側(cè)的步驟之后還包括：

49、對犧牲預(yù)備部進行圖案化處理形成犧牲部，犧牲部位于發(fā)光部背離基板的一側(cè)并暴露發(fā)光部的至少部分區(qū)域。

50、根據(jù)本技術(shù)第二方面前述任一實施方式，還包括：在犧牲部、平坦部和發(fā)光部背離基板的一側(cè)制備第一載流子功能層和第二電極層。

51、根據(jù)本技術(shù)第二方面前述任一實施方式，隔離開口包括第一隔離開口、第二隔離開口和第三隔離開口，在隔離結(jié)構(gòu)和第一電極背離基板的一側(cè)依次設(shè)置發(fā)光材料層和犧牲材料層，對發(fā)光材料層、犧牲材料層進行圖案化處理形成位于隔離開口的發(fā)光部和犧牲預(yù)備部的步驟包括：

52、在隔離結(jié)構(gòu)和第一電極背離基板的一側(cè)依次設(shè)置第一發(fā)光材料層和第一犧牲材料層；

53、對第一發(fā)光材料層、第一犧牲材料層進行圖案化處理形成位于第一隔離開口的第一發(fā)光部和第一犧牲預(yù)備部。

54、根據(jù)本技術(shù)第二方面前述任一實施方式，對第一發(fā)光材料層、第一犧牲材料層進行圖案化處理形成位于第一隔離開口的第一發(fā)光部和第一犧牲預(yù)備部的步驟中，還形成位于隔離結(jié)構(gòu)背離基板一側(cè)的第一冗余部。

55、根據(jù)本技術(shù)第二方面前述任一實施方式，在對第一發(fā)光材料層、第一犧牲材料層進行圖案化處理形成位于第一隔離開口的第一發(fā)光部和第一犧牲預(yù)備部的步驟之后還包括：

56、在隔離結(jié)構(gòu)和第一電極背離基板的一側(cè)依次設(shè)置第二發(fā)光材料層和第二犧牲材料層；

57、對第二發(fā)光材料層、第二犧牲材料層進行圖案化處理形成位于第二隔離開口的第二發(fā)光部和第二犧牲預(yù)備部。

58、根據(jù)本技術(shù)第二方面前述任一實施方式，對第二發(fā)光材料層、第二犧牲材料層進行圖案化處理形成位于第二隔離開口的第二發(fā)光部和第二犧牲預(yù)備部的步驟中，還形成位于隔離結(jié)構(gòu)背離基板一側(cè)的第二冗余部。

59、根據(jù)本技術(shù)第二方面前述任一實施方式，第二冗余部和第一冗余部在隔離結(jié)構(gòu)背離基板的一側(cè)間隔設(shè)置。

60、根據(jù)本技術(shù)第二方面前述任一實施方式，對第二發(fā)光材料層、第二犧牲材料層進行圖案化處理形成位于第二隔離開口的第二發(fā)光部和第二犧牲預(yù)備部的步驟之后還包括：

61、在隔離結(jié)構(gòu)和第一電極背離基板的一側(cè)依次設(shè)置第三發(fā)光材料層和第三犧牲材料層；

62、對第三發(fā)光材料層、第三犧牲材料層進行圖案化處理形成位于第三隔離開口的第三發(fā)光部和第三犧牲預(yù)備部。

63、根據(jù)本技術(shù)第二方面前述任一實施方式，對第三發(fā)光材料層、第三犧牲材料層進行圖案化處理形成位于第三隔離開口的第三發(fā)光部和第三犧牲預(yù)備部的步驟中，還形成位于隔離結(jié)構(gòu)背離基板一側(cè)的第三冗余部。

64、根據(jù)本技術(shù)第二方面前述任一實施方式，第三冗余部和第一冗余部在隔離結(jié)構(gòu)背離基板的一側(cè)間隔設(shè)置；或者，第三冗余部和第二冗余部在隔離結(jié)構(gòu)背離基板的一側(cè)間隔設(shè)置。

65、根據(jù)本技術(shù)第二方面前述任一實施方式，在第一電極背離基板的一側(cè)設(shè)置第二絕緣材料層，對第二絕緣材料層進行圖案化處理形成開設(shè)有隔離開口的隔離結(jié)構(gòu)，隔離結(jié)構(gòu)具有朝向隔離開口的側(cè)壁面的步驟之前還包括：

66、在第一電極背離基板的一側(cè)設(shè)置第一絕緣材料層，對第一絕緣材料層進行圖案化處理形成開設(shè)有像素開口的像素限定部，部分第一電極由像素開口露出；

67、在第一電極背離基板的一側(cè)設(shè)置第二絕緣材料層，對第二絕緣材料層進行圖案化處理形成開設(shè)有隔離開口的隔離結(jié)構(gòu)，隔離結(jié)構(gòu)具有朝向隔離開口的側(cè)壁面的步驟中包括，在像素限定部背離基板的一側(cè)設(shè)置第二絕緣材料層，隔離開口和像素開口連通。

68、根據(jù)本技術(shù)第二方面前述任一實施方式，至少部分發(fā)光部由像素開口延伸至像素限定部背離基板的一側(cè)。

69、本技術(shù)第三方面的實施例提供一種顯示裝置，包括上述任一第一方面實施例提供的顯示面板，或由上述任一第二方面的實施例制備的顯示面板。