本技術(shù)涉及顯示，具體而言，涉及一種顯示面板、顯示面板的制備方法及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、有機(jī)發(fā)光二極管(organic?light?emitting?diode，oled)以及基于發(fā)光二極管(light?emitting?diode，led)等技術(shù)的平面顯示裝置因具有高畫質(zhì)、省電、機(jī)身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，而被廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、電視、筆記本電腦、臺式電腦等各種消費(fèi)性電子產(chǎn)品，成為顯示面板中的主流。

2、然而，顯示面板仍存在一些問題亟需解決。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了克服上述技術(shù)背景中所提及的技術(shù)問題，本技術(shù)實(shí)施例提供了一種顯示面板，所述顯示面板包括：

2、陣列基板；

3、位于所述陣列基板一側(cè)的隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)圍合形成隔離開口；

4、發(fā)光單元，位于所述隔離開口內(nèi)，所述發(fā)光單元包括沿遠(yuǎn)離所述陣列基板的方向依次層疊的發(fā)光部和第二電極，所述發(fā)光單元包括第一發(fā)光單元和第二發(fā)光單元；

5、位于所述發(fā)光單元遠(yuǎn)離所述陣列基板一側(cè)的第一封裝層，所述第一封裝層包括多個間隔設(shè)置的封裝單元，所述封裝單元至少覆蓋所述發(fā)光單元，并延伸至所述隔離結(jié)構(gòu)的側(cè)面，所述隔離結(jié)構(gòu)的側(cè)面為所述隔離結(jié)構(gòu)朝向所述隔離開口的面；

6、其中，所述封裝單元遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè)包括凹槽，沿垂直于所述陣列基板的方向，位于所述第一發(fā)光單元的所述凹槽的深度小于所述第二發(fā)光單元的所述發(fā)光部和所述第二電極的厚度之和。

7、在一些可能的實(shí)施方式中，所述發(fā)光單元還包括第三發(fā)光單元；沿垂直于所述陣列基板的方向，位于所述第二發(fā)光單元的所述凹槽的深度小于所述第三發(fā)光單元的所述發(fā)光部和所述第二電極的厚度之和；

8、優(yōu)選地，位于所述第一發(fā)光單元的所述凹槽的深度小于所述第二發(fā)光單元的所述發(fā)光部的厚度；

9、優(yōu)選地，位于所述第二發(fā)光單元的所述凹槽的深度小于所述第三發(fā)光單元的所述發(fā)光部的厚度；

10、優(yōu)選地，沿垂直于所述陣列基板的方向，位于所述第一發(fā)光單元的所述凹槽的深度小于位于所述第三發(fā)光單元的所述凹槽的深度；

11、優(yōu)選地，沿垂直于所述陣列基板的方向，位于所述第二發(fā)光單元所述凹槽的深度小于位于所述第三發(fā)光單元的所述凹槽的深度；

12、優(yōu)選地，所述第一發(fā)光單元、所述第二發(fā)光單元和所述第三發(fā)光單元的發(fā)光顏色均不相同。

13、在一些可能的實(shí)施方式中，沿垂直于所述陣列基板的方向，位于所述第一發(fā)光單元的所述凹槽的深度范圍為0.03μm-0.07μm；

14、優(yōu)選地，沿垂直于所述陣列基板的方向，位于所述第二發(fā)光單元的所述凹槽的深度范圍為0.03μm-0.07μm；

15、優(yōu)選地，沿垂直于所述陣列基板的方向，位于所述第三發(fā)光單元的所述凹槽的深度范圍為0.1μm-0.2μm；

16、優(yōu)選地，沿垂直于所述陣列基板的方向，位于所述第二發(fā)光單元的所述凹槽的深度與位于所述第一發(fā)光單元的所述凹槽的深度相等。

17、在一些可能的實(shí)施方式中，所述凹槽在所述陣列基板上的正投影位于所述隔離開口在所述陣列基板上的正投影內(nèi)；

18、優(yōu)選地，至少部分所述凹槽在所述陣列基板上的正投影位于所述隔離結(jié)構(gòu)在所述陣列基板上的正投影內(nèi)；

19、優(yōu)選地，所述凹槽在所述陣列基板上的正投影呈環(huán)形，所述凹槽在所述陣列基板上的正投影圍繞至少部分所述發(fā)光單元在所述陣列基板上的正投影，圍繞所述發(fā)光單元的同一所述凹槽在不同位置的深度相等。

20、在一些可能的實(shí)施方式中，相鄰所述封裝單元在所述隔離結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè)間隔設(shè)置；

21、優(yōu)選地，位于所述隔離結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述陣列基板一側(cè)的所述封裝單元與所述隔離結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè)之間具有間隙；

22、優(yōu)選地，所述封裝單元在所述陣列基板上的正投影覆蓋所述隔離開口在所述陣列基板上的正投影以及覆蓋部分所述隔離結(jié)構(gòu)在所述陣列基板上的正投影。

23、在一些可能的實(shí)施方式中，所述顯示面板還包括位于第一封裝層遠(yuǎn)離所述陣列基板一側(cè)的第二封裝層；

24、優(yōu)選地，所述顯示面板還包括位于第二封裝層遠(yuǎn)離所述陣列基板一側(cè)的第三封裝層；

25、優(yōu)選地，所述第一封裝層和所述第三封裝層的材料均包括無機(jī)材料；

26、優(yōu)選地，所述第二封裝層的材料包括有機(jī)材料。

27、在一些可能的實(shí)施方式中，所述發(fā)光單元還包括位于所述發(fā)光部靠近所述陣列基板一側(cè)的第一電極；

28、優(yōu)選地，所述顯示面板還包括位于所述第一電極所在膜層遠(yuǎn)離所述陣列基板一側(cè)的像素界定層，所述隔離結(jié)構(gòu)位于所述像素界定層遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè)；所述像素界定層包括暴露出至少部分所述第一電極的像素開口，所述隔離結(jié)構(gòu)在所述陣列基板上的正投影位于相鄰兩個所述像素開口在所述陣列基板上的正投影之間；

29、優(yōu)選地，所述像素開口在所述陣列基板上的正投影位于所述隔離開口在所述陣列基板上的正投影內(nèi)。

30、在一些可能的實(shí)施方式中，所述隔離結(jié)構(gòu)包括沿遠(yuǎn)離所述陣列基板的方向依次層疊設(shè)置的第一隔離部以及第二隔離部，所述第一隔離部遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè)在所述陣列基板上的正投影位于所述第二隔離部在所述陣列基板上的正投影內(nèi)。

31、在一些可能的實(shí)施方式中，所述發(fā)光單元的第二電極與所述第一隔離部電連接；和/或，所述隔離結(jié)構(gòu)還包括位于所述第一隔離部朝向所述陣列基板一側(cè)的第三隔離部，所述發(fā)光單元的第二電極與所述第三隔離部電連接；

32、優(yōu)選地，所述第三隔離部的材質(zhì)包括鉬金屬；和/或，所述第一隔離部的材質(zhì)包括鋁金屬；和/或，所述第二隔離部的材質(zhì)包括鈦金屬。

33、在一些可能的實(shí)施方式中，本技術(shù)還提供了一種顯示面板的制備方法，所述方法包括：

34、提供一陣列基板；

35、在所述陣列基板的一側(cè)形成隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)圍合形成隔離開口；

36、在所述隔離開口內(nèi)形成至少部分發(fā)光單元，并在所述發(fā)光單元遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè)形成第一封裝層，所述發(fā)光單元包括沿遠(yuǎn)離所述陣列基板的方向依次層疊的發(fā)光部和第二電極，所述發(fā)光單元包括第一發(fā)光單元和第二發(fā)光單元，所述第一封裝層包括多個間隔設(shè)置的封裝單元，所述封裝單元至少覆蓋所述發(fā)光單元，并延伸至所述隔離結(jié)構(gòu)的側(cè)面，所述隔離結(jié)構(gòu)的側(cè)面為所述隔離結(jié)構(gòu)朝向所述隔離開口的面；

37、其中，所述封裝單元遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè)包括凹槽，沿垂直于所述陣列基板的方向，位于所述第一發(fā)光單元的所述凹槽的深度小于所述第二發(fā)光單元的所述發(fā)光部和所述第二電極的厚度之和。

38、在一些可能的實(shí)施方式中，所述在所述陣列基板的一側(cè)形成隔離結(jié)構(gòu)的步驟，包括：

39、在所述陣列基板的一側(cè)形成第一電極層，所述第一電極層包括多個間隔設(shè)置的第一電極；

40、在所述第一電極層遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè)形成像素界定材料層；

41、在所述像素界定材料層遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè)形成隔離結(jié)構(gòu)材料層；

42、對所述隔離結(jié)構(gòu)材料層進(jìn)行圖案化處理，以形成隔離結(jié)構(gòu)；

43、對所述像素界定材料層進(jìn)行圖案化處理，以形成像素界定層，所述像素界定層包括暴露出至少部分所述第一電極的像素開口；所述像素開口在所述陣列基板上的正投影位于所述隔離開口在所述陣列基板上的正投影內(nèi)。

44、在一些可能的實(shí)施方式中，所述在所述隔離開口內(nèi)形成至少部分發(fā)光單元，并在所述發(fā)光單元遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè)形成第一封裝層的步驟，包括：

45、在所述隔離結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè)形成第一發(fā)光單元的發(fā)光功能層；

46、在所述第一發(fā)光單元的發(fā)光功能層遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè)形成的第二電極層；

47、在所述第二電極層遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè)形成第一封裝層；

48、在所述第一發(fā)光單元對應(yīng)的隔離開口內(nèi)形成第一刻蝕保護(hù)層，所述第一刻蝕保護(hù)層還延伸至覆蓋部分所述隔離結(jié)構(gòu)；

49、去除未被所述第一刻蝕保護(hù)層覆蓋的所述第一封裝層、所述發(fā)光功能層和所述第二電極層，以及除去位于所述隔離結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述陣列基板一側(cè)的所述發(fā)光功能層和所述第二電極層，并去除所述第一刻蝕保護(hù)層，以在所述第一發(fā)光單元對應(yīng)的隔離開口內(nèi)形成發(fā)光部、第二電極和封裝單元，位于所述第二電極遠(yuǎn)離所述陣列基板一側(cè)的所述封裝單元形成所述第一發(fā)光單元對應(yīng)的所述凹槽；

50、優(yōu)選地，所述第二電極延伸至與所述第一發(fā)光單元對應(yīng)的隔離結(jié)構(gòu)電連接；

51、優(yōu)選地，沿垂直于所述陣列基板的方向，位于所述第一發(fā)光單元的所述凹槽的深度范圍為0.03μm-0.07μm；

52、優(yōu)選地，所述凹槽在所述陣列基板上的正投影呈環(huán)形，所述凹槽在所述陣列基板上的正投影圍繞至少部分所述第一發(fā)光單元在所述陣列基板上的正投影，圍繞所述第一發(fā)光單元的同一所述凹槽在不同位置的深度相等。

53、在一些可能的實(shí)施方式中，在所述去除未被所述第一刻蝕保護(hù)層覆蓋的所述第一封裝層、所述發(fā)光功能層和所述第二電極層，以及除去位于所述隔離結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述陣列基板一側(cè)的所述發(fā)光功能層和所述第二電極層，并去除所述第一刻蝕保護(hù)層的步驟之后，還包括：

54、在所述隔離結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè)形成第二發(fā)光單元的發(fā)光功能層，所述第二發(fā)光單元的發(fā)光功能層覆蓋所述第一發(fā)光單元對應(yīng)的所述封裝單元遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè)；

55、在所述第二發(fā)光單元的發(fā)光功能層遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè)形成第二電極層，所述第二發(fā)光單元的至少部分所述發(fā)光功能層和/或至少部分所述第二電極層填充位于所述第一發(fā)光單元的至少部分所述凹槽，并使所述第二發(fā)光單元的第二電極層在所述第一發(fā)光單元對應(yīng)的所述凹槽處連續(xù)設(shè)置；

56、在所述第二電極層遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè)形成第一封裝層；

57、在所述第二發(fā)光單元對應(yīng)的隔離開口內(nèi)形成第二刻蝕保護(hù)層；

58、去除未被所述第二刻蝕保護(hù)層覆蓋的所述第二發(fā)光單元的所述第一封裝層、所述發(fā)光功能層和所述第二電極層，以及除去位于所述隔離結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述陣列基板一側(cè)的所述發(fā)光功能層和所述第二電極層，并去除所述第二刻蝕保護(hù)層，以在所述第二發(fā)光單元對應(yīng)的隔離開口內(nèi)形成發(fā)光部、第二電極和封裝單元，位于所述第二電極遠(yuǎn)離所述陣列基板一側(cè)的所述封裝單元形成所述第二發(fā)光單元對應(yīng)的所述凹槽；

59、優(yōu)選地，所述第二電極延伸至與所述第二發(fā)光單元對應(yīng)的隔離結(jié)構(gòu)電連接；

60、優(yōu)選地，沿垂直于所述陣列基板的方向，位于所述第二發(fā)光單元的所述凹槽的深度范圍為0.03μm-0.07μm；

61、優(yōu)選地，所述凹槽在所述陣列基板上的正投影圍繞至少部分所述第二發(fā)光單元在所述陣列基板上的正投影，圍繞所述第二發(fā)光單元的同一所述凹槽在不同位置的深度相等；

62、優(yōu)選地，沿垂直于所述陣列基板的方向，位于所述第二發(fā)光單元所述凹槽的深度與位于所述第一發(fā)光單元的所述凹槽的深度相等。

63、在一些可能的實(shí)施方式中，在所述去除未被所述第二刻蝕保護(hù)層覆蓋的所述第二發(fā)光單元的所述第一封裝層、所述發(fā)光功能層和所述第二電極層，以及除去位于所述隔離結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述陣列基板一側(cè)的所述發(fā)光功能層和所述第二電極層，并去除所述第二刻蝕保護(hù)層的步驟之后，還包括：

64、在所述隔離結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè)形成第三發(fā)光單元的發(fā)光功能層，所述第二發(fā)光單元的發(fā)光功能層覆蓋所述第一發(fā)光單元和所述第二發(fā)光單元對應(yīng)的所述封裝單元遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè)；

65、在所述第三發(fā)光單元的發(fā)光功能層遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè)形成第二電極層，所述第三發(fā)光單元的至少部分所述發(fā)光功能層和/或至少部分所述第二電極層填充位于所述第一發(fā)光單元和所述第二發(fā)光單元的至少部分所述凹槽，并使所述第三發(fā)光單元的第二電極層在所述第一發(fā)光單元和所述第二發(fā)光單元對應(yīng)的所述凹槽處連續(xù)設(shè)置；

66、在所述第二電極層遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè)形成第一封裝層；

67、在所述第三發(fā)光單元對應(yīng)的隔離開口內(nèi)形成第三刻蝕保護(hù)層；

68、去除未被所述第三刻蝕保護(hù)層覆蓋的所述第三發(fā)光單元的所述第一封裝層、所述發(fā)光功能層和所述第二電極層，以及除去位于所述隔離結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述陣列基板一側(cè)的所述發(fā)光功能層和所述第二電極層，并去除所述第三刻蝕保護(hù)層，以在所述第三發(fā)光單元對應(yīng)的隔離開口內(nèi)形成發(fā)光部、第二電極和封裝單元，位于所述第二電極遠(yuǎn)離所述陣列基板一側(cè)的所述封裝單元形成所述第三發(fā)光單元對應(yīng)的所述凹槽；

69、優(yōu)選地，所述第二電極延伸至與所述第三發(fā)光單元對應(yīng)的隔離結(jié)構(gòu)電連接；

70、優(yōu)選地，沿垂直于所述陣列基板的方向，位于所述第三發(fā)光單元的所述凹槽的深度大于位于所述第一發(fā)光單元和/或位于所述第二發(fā)光單元的所述凹槽的深度；

71、優(yōu)選地，沿垂直于所述陣列基板的方向，位于所述第三發(fā)光單元的所述凹槽的深度范圍為0.1μm-0.2μm；

72、優(yōu)選地，所述凹槽在所述陣列基板上的正投影圍繞至少部分所述第三發(fā)光單元在所述陣列基板上的正投影，圍繞所述第三發(fā)光單元的同一所述凹槽在不同位置的深度相等。

73、在一些可能的實(shí)施方式中，本技術(shù)還提供了一種電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括本技術(shù)中所述的顯示面板，或包括由本技術(shù)中所述的顯示面板的制備方法制備得到的顯示面板。

74、相對于現(xiàn)有技術(shù)而言，本技術(shù)具有以下有益效果：

75、本技術(shù)提供的一種顯示面板、顯示面板的制備方法及電子設(shè)備，通過將位于第一發(fā)光單元的凹槽的深度設(shè)置為小于第二發(fā)光單元的發(fā)光部和第二電極的厚度之和，在制備第二發(fā)光單元時(shí)，第二發(fā)光單元的第二電極可以在第一發(fā)光單元遠(yuǎn)離陣列基板的一側(cè)連續(xù)成膜，從而可以對第一發(fā)光單元起到更好的保護(hù)作用，不容易損壞第一發(fā)光單元，進(jìn)而可以提高該顯示面板的顯示效果。