1.一種輪式金剛刀劃片方法，其特征是包括以下步驟：
1）備片：半導(dǎo)體圓片減薄至目標(biāo)厚度并完成背面工藝；
2）貼膜：用粘性膜將待劃圓片固定在繃環(huán)上；
3）劃片：輪式金剛刀在設(shè)定步進(jìn)、壓力、速度等條件下沿直線滾動(dòng)，在半導(dǎo)體圓片表面形成凹槽；
4）裂片：劃片后半導(dǎo)體圓片使用裂片機(jī)在裂片壓刀、裂片蹄刀按設(shè)定條件下，沿凹槽位置進(jìn)行劈裂；
5）分片：對(duì)裂片后半導(dǎo)體圓片進(jìn)行擴(kuò)膜、解膠分片形成獨(dú)立芯片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種輪式金剛刀劃片方法，其特征在于，所述將SiC圓片減薄至目標(biāo)厚度為50~150um。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種輪式金剛刀劃片方法，其特征在于，該劃片方式不僅適用于傳統(tǒng)Si、GaAs、InP低硬度的半導(dǎo)體材料劃片，也適用于GaN、SiC、藍(lán)寶石高硬度的半導(dǎo)體材料劃片。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種輪式金剛刀劃片方法，其特征在于，所述粘性膜為藍(lán)膜或UV膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種輪式金剛刀劃片方法，其特征在于，所述金剛刀為輪式金剛刀。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種輪式金剛刀劃片方法，其特征在于，所述劃片方式為將待劃GaN、SiC或藍(lán)寶石圓片放置在MDI LS831輪式金剛刀劃片機(jī)上，真空吸牢，在壓力0.1~0.5MPa，速度10~200mm/s條件下沿直線滾動(dòng)劃片；在圓片表面形成凹槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種輪式金剛刀劃片方法，其特征在于，所述裂片為將已劃完的GaN、SiC或藍(lán)寶石圓片放置在Dynatex裂片機(jī)，將蹄刀與劃痕設(shè)置重合保持不動(dòng)、壓刀設(shè)置到劃片槽空白位置并下壓0.03~0.2mm保持50~300ms后抬起即完成1次裂片動(dòng)作，重復(fù)上述動(dòng)作直至所有劃痕裂片完成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種輪式金剛刀劃片方法，其特征在于，所述分片：對(duì)裂片后圓片用擴(kuò)膜機(jī)擴(kuò)膜增大芯片間距，防止芯片的相互擠壓摩擦造成的碎屑、損傷，后用UV解膠機(jī)對(duì)UV膜進(jìn)行解膠，降低UV膜對(duì)芯片的粘附力，便后續(xù)封測(cè)工藝。