1.一種磁控共濺射制備面內磁化哈斯勒合金薄膜的方法，其特征在于按以下步驟進行：
（1）采用SiO2作為襯底材料，將襯底材料經(jīng)過超聲波清洗處理后，通過傳樣品桿傳送入磁控濺射真空室中的樣品臺上；
（2）將所需要的靶材放入磁控濺射真空室的靶位上；所述的靶材材料分別為純度≥99.999%的金屬材料X、Y和Z；所述的金屬材料X為Cu、Ni或Co；所述的金屬材料Y為Fe、Cr或Mn，所述的金屬材料Z為Al、Si、Ge或B；
（3）抽真空至磁控濺射室的真空度≤2×10-5Pa；
（4）通過磁控共濺射在襯底材料表面制備哈斯勒合金薄膜，工作氣體為純度≥99.999%的高純氬氣，濺射氣壓0.01~0.4Pa，沉積速率為5~10nm/min，靶材到襯底材料的距離為20~30cm，濺射時間設定5~10 min，在襯底材料表面制成哈斯勒合金薄膜。
2.一種磁控共濺射制備面內磁化哈斯勒合金薄膜的方法，其特征在于按以下步驟進行：
（1）采用SiO2作為襯底材料，將襯底材料經(jīng)過超聲波清洗處理后，通過傳樣品桿傳送入磁控濺射真空室中的樣品臺上；
（2）將所需要的靶材放入磁控濺射真空室的靶位上；所述的靶材材料分別為純度≥99.999%的金屬材料Cr、X、Y和Z；所述的金屬材料X為Cu、Ni或Co；所述的金屬材料Y為Fe、Cr或Mn，所述的金屬材料Z為Al、Si、Ge或B；
（3）抽真空至磁控濺射室的真空度≤2×10-5Pa；
（4）通過磁控濺射在襯底材料表面制備哈斯勒合金薄膜，工作氣體為純度≥99.999%的高純氬氣，濺射氣壓0.01~0.4Pa，沉積速率為5~10nm/min，靶材到襯底材料的距離為20~30cm，濺射時間1~2 min，在襯底材料表面制成Cr膜；
（5）通過磁控共濺射在襯底材料表面制備哈斯勒合金薄膜，工作氣體為純度≥99.999%的高純氬氣，濺射氣壓0.01~0.4Pa，沉積速率為5~10nm/min，靶材到襯底材料的距離為20~30cm，濺射時間5~10 min，在襯底材料表面制成哈斯勒合金薄膜。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的磁控共濺射制備面內磁化哈斯勒合金薄膜的方法，其特征在于所述的超聲清洗處理的步驟為：將襯底材料按順序依次分別置于丙酮、乙醇和去離子水中，并用超聲波清洗，在每種液體中超聲清洗時間為15~20min，然后用氮氣吹干，在200±10℃條件下熱處理8~10min，使襯底材料表面殘留物去除。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的磁控共濺射制備面內磁化哈斯勒合金薄膜的方法，其特征在于所述的哈斯勒合金薄膜的成分為X2YZ，厚度為48~56nm。
5.根據(jù)權利要求2所述的磁控共濺射制備面內磁化哈斯勒合金薄膜的方法，其特征在于所述的Cr膜的厚度為9~12nm。