技術總結
磁控共濺射制備面內磁化哈斯勒合金薄膜的方法，按以下步驟進行：（1）采用SiO2作為襯底材料經過超聲波清洗處理后送入磁控濺射真空室中的樣品臺；（2）將所需要的靶材放入磁控濺射真空室的靶位上；（3）抽真空；（4）通過磁控濺射在襯底材料表面制備哈斯勒合金薄膜，或者先在襯底材料表面制成Cr膜，再在襯底材料表面制備哈斯勒合金薄膜。本發明采用磁控共濺射方法，制備的高純薄膜平行于磁各向異性，其粗糙度以及矯頑力有明顯的變化，制備時間短，純度高，設備簡單，容易操作，成本低。

技術研發人員：張憲民;包涵;林佳新;仝軍偉;艾小薇;張潤鑫;秦高梧
受保護的技術使用者：東北大學
文檔號碼：201611147545
技術研發日：2016.12.13
技術公布日：2017.03.15