1.一種C軸結晶IGZO薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1、提供一基底(10)與原子層沉積裝置(50)，將所述基底(10)送入所述原子層沉積裝置(50)中，向所述原子層沉積裝置(50)中通入氧化銦前驅體物質，同時通入氧氣與惰性氣體的混合氣體，在所述基底(10)上形成氧化銦膜(20)；
步驟2、向所述原子層沉積裝置(50)中通入清洗氣體，驅逐出所述原子層沉積裝置(50)中多余的氧化銦前驅體物質，從而對所述原子層沉積裝置(50)進行清洗；
步驟3、向所述原子層沉積裝置(50)中通入氧化鎵前驅體物質，同時通入氧氣與惰性氣體的混合氣體，在所述氧化銦膜(21)上形成氧化鎵膜(22)；
步驟4、向所述原子層沉積裝置(50)中通入清洗氣體，驅逐出所述原子層沉積裝置(50)中多余的氧化鎵前驅體物質，從而對所述原子層沉積裝置(50)進行清洗；
步驟5、向所述原子層沉積裝置(50)中通入氧化鋅前驅體物質，同時通入氧氣與惰性氣體的混合氣體，在所述氧化鎵膜(22)上形成氧化鋅膜(23)；
步驟6、向所述原子層沉積裝置(50)中通入清洗氣體，驅逐出所述原子層沉積裝置(50)中多余的氧化鋅前驅體物質，從而對所述原子層沉積裝置(50)進行清洗；
經過所述步驟1至步驟6，在所述基底(10)上形成一層C軸結晶IGZO膜(20)，所述C軸結晶IGZO膜(20)包括在C軸方向上依次排列的氧化銦膜(21)、氧化鎵膜(22)及氧化鋅膜(23)；
步驟7、在所述基底(10)上形成C軸結晶IGZO薄膜(30)。
2.如權利要求1所述的C軸結晶IGZO薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟7中重復所述步驟1至步驟6數次，所述C軸結晶IGZO薄膜(30)包括層疊設置的數層C軸結晶IGZO膜(20)，所述C軸結晶IGZO膜(20)的層數與重復所述步驟1至步驟6的次數相同。
3.如權利要求1所述的C軸結晶IGZO薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟1中，所述氧化銦前驅體物質包括氯化銦與水。
4.如權利要求1所述的C軸結晶IGZO薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟3中，所述氧化鎵前驅體物質包括三甲基鎵與水。
5.如權利要求1所述的C軸結晶IGZO薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟5中，所述氧化鋅前驅體物質包括二乙基鋅與雙氧水。
6.如權利要求1所述的C軸結晶IGZO薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟1、步驟3及步驟5中，控制所述原子層沉積裝置(50)中的溫度為310℃-335℃，壓力為5mTorr-8mTorr，所述原子層沉積裝置(50)的工作功率為180W-200W；所述氧氣與惰性氣體的混合氣體中，氧氣的濃度為15v％-17v％。
7.如權利要求6所述的C軸結晶IGZO薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟1、步驟3及步驟5中，控制所述原子層沉積裝置(50)中的溫度為320℃，壓力為7mTorr，所述原子層沉積裝置(50)的工作功率為190W；所述氧氣與惰性氣體的混合氣體中，氧氣的濃度為16v％。
8.如權利要求1所述的C軸結晶IGZO薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟1、步驟3及步驟5中，所述氧氣與惰性氣體的混合氣體中，所述惰性氣體為氬氣。
9.如權利要求1所述的C軸結晶IGZO薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟2、步驟4及步驟6中，所述清洗氣體為氮氣或者惰性氣體。
10.一種C軸結晶IGZO薄膜，其特征在于，包括層疊設置的數層C軸結晶IGZO膜(20)，所述C軸結晶IGZO膜(20)包括在C軸方向上依次排列的氧化銦膜(21)、氧化鎵膜(22)及氧化鋅膜(23)。