技術總結
本發明提供一種C軸結晶IGZO薄膜及其制備方法。本發明的C軸結晶IGZO薄膜的制備方法，通過采用原子層沉積的方法來制備C軸結晶IGZO薄膜，能夠在原子水平上精確控制C軸結晶IGZO的結構，制得的C軸結晶IGZO的結晶質量好，氧缺陷較少，能夠提高TFT的穩定性；并且由于本發明制得的C軸結晶IGZO薄膜中的結晶區域的面積較大，達百微米級至毫米級，因此可促進C軸結晶IGZO的規模化應用；同時本發明利用最優化的工藝條件來制備C軸結晶IGZO薄膜，可提高生產良率，降低生產成本。本發明的C軸結晶IGZO薄膜，C軸結晶IGZO的結晶質量好，氧缺陷較少，能夠提高TFT的穩定性，同時結晶區域的面積較大，有利于C軸結晶IGZO的規模化應用。

技術研發人員：王選蕓
受保護的技術使用者：武漢華星光電技術有限公司
文檔號碼：201611147744
技術研發日：2016.12.13
技術公布日：2017.05.31