技術特征：

1.一種TiSiNiN納米復合涂層，其特征在于：是一種由界面相包裹TiN納米晶粒的復合結構，所述的界面相由化合物Si₃N₄和金屬Ni兩相組成。

2.如權利要求1所述的一種TiSiNiN納米復合涂層，其特征在于：所述的TiSiNiN納米復合涂層的厚度為2-4μm。

3.如權利要求1所述的一種TiSiNiN納米復合涂層，其特征在于：在所述的復合涂層中，按原子比計算，其中Si：Ni為18%：2%、或者16%：4%、或者12%：8%、或者8%：12%或者4%：16%。

4.權利要求1 所述的一種TiSiNiN納米復合涂層的制備方法，其特征在于包括如下步驟：

1）一個清洗基體的步驟，將經拋光處理后的基體送入超聲波清洗機，依次在無水酒精和丙酮中利用15～30kHz超聲波進行清洗5～10min；然后進行離子清洗；所述的離子清洗即將基體裝進真空室，抽真空到4×10^-4Pa~10×10^-4Pa后通入Ar氣，維持真空度在2-4Pa，用中頻對基體進行為時20~40min的離子轟擊，功率為80-100W；

2）采用多靶磁控濺射儀，由TiSiNi復合靶材在基體上進行磁控濺射反應沉積的步驟；將清洗后的基體置入多靶磁控濺射儀并停留在TiSiNi復合靶之前，所述的TiSiNi復合靶材中，按原子比計算，其中Ti為80%，Si和Ni的總原子量為20%，TiSiNi復合靶材的直徑為75mm；上述的磁控濺射反應沉積的條件為：Ar氣流量：38sccm，N₂氣流量：5sccm；射頻濺射功率350W，時間2h；靶基距5cm；總氣壓范圍0.2-0.6Pa；通過磁控濺射反應沉積獲得TiSiNiN納米復合涂層。

5.如權利要求4 所述的一種TiSiNiN納米復合涂層的制備方法，其特征在于：所述的TiSiNi復合靶材中，按原子比計算，其中，Si：Ni為18%：2%、或者16%：4%、或者12%：8%、或者8%：12%或者4%：16%。

6.如權利要求4 所述的一種TiSiNiN納米復合涂層的制備方法，其特征在于：所述的基體為金屬、硬質合金、陶瓷或單晶Si。