本發明屬于ITO透明導電薄膜材料技術領域，具體涉及一種轉移ITO薄膜的方法。

背景技術：

ITO薄膜是一種典型的半導體透明導電氧化物薄膜材料，由于其具有高的可見光透率、低紅外發射率、優良的導電性、環境適應性和應用加工性，已廣泛應用于平板顯示、觸控屏、太陽能薄膜電池、OLED等行業。

當前，隨著有機光電器件的快速發展，小型化和輕便化已成為重要的發展趨勢，柔性襯底ITO薄膜材料已受到研究者和產業界的廣泛關注。但是，當前在PET膜上沉積ITO薄膜時，一般采用低溫沉積技術。由于在低溫沉積條件下制備的ITO薄膜一般是呈現非晶態，因而ITO透明導電薄膜具有導電的熱穩定性差、可見光透過率低、使用壽命短、易磨損等缺點，其光電等理化性能已難以滿足柔性平板顯示器件精細化發展的要求，迫切需要發展具有高度結晶性能的ITO柔性襯底薄膜材料。

由于柔性襯底一般所能耐受的溫度不超過200℃，而結晶態的ITO薄膜材料制備一般需要400℃的加熱溫度，因此直接通過高溫沉積在柔性襯底上實現結晶態的方式難以實現，而通過改進沉積工藝或薄膜制備方法的途徑對柔性襯底ITO薄膜結晶性能的提升也并不明顯。因此，現實的方法是先在其它襯底上通過高溫沉積結晶態的ITO薄膜，然后再轉移至PET膜上實現具有結晶態ITO薄膜在柔性襯底的制備。

在背景中部分公開的上述信息僅僅用于增強對本發明背景的理解，因此上述信息可以包含不構成本國本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。

技術實現要素：

本發明的目的旨在提供一種轉移ITO薄膜的方法，通過該方法可以實現結晶態ITO薄膜材料到PET柔性襯底材料的轉移，對提高柔性襯底ITO薄膜的光電性能具有十分積極的作用。

本發明解決上述技術問題的技術方案是：

一種轉移ITO薄膜的方法，包括如下步驟：

步驟1：在銅箔上采用磁控濺射制備一定厚度的結晶態ITO薄膜；

步驟2：采用噴涂技術在ITO薄膜的表面噴涂一定厚度的AB膠；

步驟3：將噴涂了AB膠的面與PET薄通過輥壓方式貼合；

步驟4：將貼合后的膜放置在一定溫度的加熱臺上烘烤一定時間，使AB膠固化；

步驟5：放入硝酸鐵溶液將銅箔刻蝕；

步驟6：用去離子水超聲清洗3次～4次，然后烘干。

進一步地，步驟1中所述銅箔的厚度為16μm～30μm。

進一步地，步驟1中所述的結晶態的ITO薄膜是指XRD測試結果具有222或400主晶相的結晶態薄膜。

進一步地，步驟1中所述磁控濺射包括直流磁控濺射和射頻磁控濺射，其濺射的工藝為：背底真空度為8.0×10^-4Pa，濺射氣壓為0.5Pa～3Pa，氧氣體積比含量為0.5%～20%，襯底加熱溫度為350℃～500℃，靶基距為8cm～10cm，濺射功率為50W～200W。

進一步地，以上步驟1中所述一定厚度是控制ITO薄膜的厚度為100nm～800nm。

進一步地，以上步驟2中所述一定厚度AB膠是控制其膠厚度為5μm～20μm。

進一步地，以上所述AB膠是由環氧樹脂為基的雙組分耐高溫膠粘劑，為市售產品。

進一步地，以上步驟4中所述一定溫度為75℃～80℃，所述一定時間為30分鐘～120分鐘。

進一步地，以上步驟5中所述硝酸鐵溶液的重量百分比濃度為10%，所述刻蝕的時間為2小時～10小時。

本發明的優點和積極效果：

1、本發明通過以銅箔為襯底材料，通過高溫沉積具有結晶態的ITO薄膜，然后再通過轉移的方式將結晶態的ITO薄膜轉移到PET柔性襯底上，實現了在PET柔性襯底上結晶態ITO薄膜的制備，可有效提高PET柔性襯底ITO薄膜的熱穩定性，可見光透過率高，使用壽命長，耐磨等光電理化性能，滿足柔性平板顯示器件精細化的要求。

2、本發明克服已有技術由于柔性襯底一般所能耐受的溫度不超過200℃，而結晶態的ITO薄膜材料制備一般需要400℃的加熱溫度，不能直接通過高溫沉積在柔性襯底上實現結晶態，或通過改進沉積工藝或薄膜制備方法的途徑對柔性襯底ITO薄膜結晶性能的提升也并不明顯的技術問題，現實了先在其它襯底上通過高溫沉積結晶態的ITO薄膜，然后再轉移至PET膜上實現具有結晶態ITO薄膜在柔性襯底的制備。

附圖說明

圖1是本發明專利制備的轉移ITO薄膜與直接在PET上低溫沉積ITO薄膜的XRD對比圖譜；

圖2是本發明專利制備的轉移ITO薄膜與直接在PET上低溫沉積ITO薄膜的可見光透過率圖譜。

圖中標識：①為PET膜上溫沉積的ITO薄膜；

②為轉移到PET膜上的ITO薄膜。

具體實施方式

為了更好地理解本發明，下面結合實施例進一步闡明本發明的內容，以優化實施例意在具體說明本發明的思路，本發明之實施，并不限于優化實施例所公開的方式，凡基于本發明的涉及思路，進行簡單推演與替換，得到的具體的金屬或非金屬薄膜的圖案，都屬于本發明的實施。

實施例1

一種轉移ITO薄膜的方法，具體實施步驟如下：

步驟1：在銅箔上采用直流磁控濺射制備結晶態的ITO薄膜：以20μm厚的銅箔為襯底材料，將真空室抽真空度至8.0×10^-4Pa，調節襯底加熱溫度為400℃，靶基距為8cm，通入氬氣和氧氣，其中氧氣占總氣體的體積為5%，并調節濺射的總氣壓為1.5Pa，啟動濺射電源，在50W的濺射功率下沉積100nm厚度的ITO薄膜。

步驟2：采用噴涂技術，在ITO薄膜的表面均勻噴涂10μm厚度的環氧樹脂AB膠溶液。

步驟3：將噴涂了環氧樹脂AB膠溶液的面先與PET膜對齊，然后同時經過膠輥輥壓貼合，形成銅箔/ITO/環氧樹脂AB膠/PET的復合膜。

步驟4：將貼合后的銅箔/ITO/環氧樹脂AB膠/PET的復合膜放置在溫度為76℃的加熱臺上烘烤60分鐘，使環氧樹脂AB膠固化。

步驟5：將銅箔/ITO/環氧樹脂AB膠/PET的復合膜層有銅箔的一面懸浮在濃度為10%（重量百分比）的硝酸鐵刻蝕液，浸泡4小時，將銅箔去除。

步驟6：用去離子水超聲清洗3次后烘干。

本實施例產品經XRD測試結果具有222主晶相的結晶態薄膜，平均可見光透過率為91.3%。

實施例2

一種轉移ITO薄膜的方法，具體實施步驟如下：

步驟1：在銅箔上采用直流磁控濺射制備結晶態的ITO薄膜：以16μm厚的銅箔為襯底材料，將真空室抽真空度至8.0×10^-4Pa，調節襯底加熱溫度為500℃，靶基距為10cm，通入氬氣和氧氣，其中氧氣占總氣體的體積為20%，并調節濺射的總氣壓為0.5Pa，啟動濺射電源，在150W的濺射功率下沉積400nm厚度的ITO薄膜。

步驟2：采用噴涂技術，在ITO薄膜的表面均勻噴涂5μm厚度的環氧樹脂AB膠溶液。

步驟3：將噴涂了環氧樹脂AB膠溶液的面先與PET膜對齊，然后同時經過膠輥輥壓貼合，形成銅箔/ITO/環氧樹脂AB膠/PET的復合膜。

步驟4：將貼合后的銅箔/ITO/環氧樹脂AB膠/PET的復合膜放置在溫度為80℃的加熱臺上烘烤30分鐘，使環氧樹脂AB膠固化。

步驟5：將銅箔/ITO/環氧樹脂AB膠/PET的復合膜層有銅箔的一面懸浮在濃度為10%（重量百分比）的硝酸鐵刻蝕液，浸泡2小時，將銅箔去除。

步驟6：用去離子水超聲清洗4次后烘干。

本實施例產品經XRD測試結果具有222主晶相的結晶態薄膜，平均可見光透過率為89.2%。

實施例3

一種轉移ITO薄膜的方法，具體實施步驟如下：

步驟1：在銅箔上采用直流磁控濺射制備結晶態的ITO薄膜：以22μm厚的銅箔為襯底材料，將真空室抽真空度至8.0×10^-4Pa，調節襯底加熱溫度為450℃，靶基距為9cm，通入氬氣和氧氣，其中氧氣占總氣體的體積為6%，并調節濺射的總氣壓為1.5Pa，啟動濺射電源，在150W的濺射功率下沉積800nm厚度的ITO薄膜。

步驟2：采用噴涂技術，在ITO薄膜的表面均勻噴涂15μm厚度的環氧樹脂AB膠溶液。

步驟3：將噴涂了環氧樹脂AB膠溶液的面先與PET膜對齊，然后同時經過膠輥輥壓貼合，形成銅箔/ITO/環氧樹脂AB膠/PET的復合膜。

步驟4：將貼合后的銅箔/ITO/環氧樹脂AB膠/PET的復合膜放置在溫度為80℃的加熱臺上烘烤60分鐘，使環氧樹脂AB膠固化。

步驟5：將銅箔/ITO/環氧樹脂AB膠/PET的復合膜層有銅箔的一面懸浮在濃度為10%（重量百分比）的硝酸鐵刻蝕液，浸泡5小時，將銅箔去除。

步驟6：用去離子水超聲清洗3次后烘干。

本實施例產品經XRD測試結果具有222主晶相的結晶態薄膜，平均可見光透過率為84.6%。

實施例4

一種轉移ITO薄膜的方法，具體實施步驟如下：

步驟1：在銅箔上采用射頻磁控濺射制備結晶態的一定厚度的ITO薄膜：以30μm厚的銅箔為襯底材料，將真空室抽真空度至8.0×10^-4Pa，調節襯底加熱溫度為350℃，靶基距為8cm，通入氬氣和氧氣，其中氧氣占總氣體的體積為0.5%，并調節濺射的總氣壓為3.0Pa，啟動濺射電源，在200W的濺射功率下沉積150nm厚度的ITO薄膜。

步驟2：采用噴涂技術，在ITO薄膜的表面均勻噴涂20μm厚度的環氧樹脂AB膠溶液。

步驟3：將噴涂了環氧樹脂AB膠溶液的面先與PET膜對齊，然后同時經過膠輥輥壓貼合，形成銅箔/ITO/環氧樹脂AB膠/PET的復合膜。

步驟4：將貼合后的銅箔/ITO/環氧樹脂AB膠/PET的復合膜放置在溫度為75℃的加熱臺上烘烤120分鐘，使環氧樹脂AB膠固化。

步驟5：將銅箔/ITO/環氧樹脂AB膠/PET的復合膜層有銅箔的一面懸浮在濃度為10%（重量百分比）的硝酸鐵刻蝕液，浸泡10小時，將銅箔去除。

步驟6：用去離子水超聲清洗3次后烘干。

本實施例產品經XRD測試結果具有400主晶相的結晶態薄膜，平均可見光透過率為90.4%。

實施例5

一種轉移ITO薄膜的方法，具體實施步驟如下：

步驟1：在銅箔上采用射頻磁控濺射制備結晶態的ITO薄膜：以22μm厚的銅箔為襯底材料，將真空室抽真空度至8.0×10^-4Pa，調節襯底加熱溫度為420℃，靶基距為8cm，通入氬氣和氧氣，其中氧氣占總氣體的體積為10%，并調節濺射的總氣壓為2.0Pa，啟動濺射電源，在180W的濺射功率下沉積280nm厚度的ITO薄膜。

步驟2：采用噴涂技術，在ITO薄膜的表面均勻噴涂15μm厚度的環氧樹脂AB膠溶液。

步驟3：將噴涂了環氧樹脂AB膠溶液的面先與PET膜對齊，然后同時經過膠輥輥壓貼合，形成銅箔/ITO/環氧樹脂AB膠/PET的復合膜。

步驟4：將貼合后的銅箔/ITO/環氧樹脂AB膠/PET的復合膜放置在溫度為80℃的加熱臺上烘烤80分鐘，使環氧樹脂AB膠固化。

步驟5：將銅箔/ITO/環氧樹脂AB膠/PET的復合膜層有銅箔的一面懸浮在濃度為10%（重量百分比）的硝酸鐵刻蝕液，浸泡6小時，將銅箔去除。

步驟6：用去離子水超聲清洗3次后烘干。

本實施例產品經XRD測試結果具有222主晶相的結晶態薄膜，平均可見光透過率為87.7%。