1.一種轉(zhuǎn)移ITO薄膜的方法，其特征在于：包括如下步驟：
步驟1：在銅箔上采用磁控濺射制備一定厚度的結(jié)晶態(tài)ITO薄膜；
步驟2：采用噴涂技術(shù)在ITO薄膜的表面噴涂一定厚度的AB膠；
步驟3：將噴涂了AB膠的面與PET薄通過(guò)輥壓方式貼合；
步驟4：將貼合后的膜放置在一定溫度的加熱臺(tái)上烘烤一定時(shí)間，使AB膠固化；
步驟5：放入硝酸鐵溶液將銅箔刻蝕；
步驟6：用去離子水超聲清洗3次～4次，然后烘干。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種轉(zhuǎn)移ITO薄膜的方法，其特征在于：步驟1中所述銅箔的厚度為16μm～30μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種轉(zhuǎn)移ITO薄膜的方法，其特征在于：步驟1中所述的結(jié)晶態(tài)的ITO薄膜是指XRD測(cè)試結(jié)果具有222或400主晶相的結(jié)晶態(tài)薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種轉(zhuǎn)移ITO薄膜的方法，其特征在于：步驟1中所述磁控濺射包括直流磁控濺射和射頻磁控濺射，其濺射的工藝為：背底真空度為8.0×10-4Pa，濺射氣壓為0.5Pa～3Pa，氧氣體積比含量為0.5%～20%，襯底加熱溫度為350℃～500℃，靶基距為8cm～10cm，濺射功率為50W～200W。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種轉(zhuǎn)移ITO薄膜的方法，其特征在于：步驟1中所述一定厚度是控制ITO薄膜的厚度為100nm～800nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種轉(zhuǎn)移ITO薄膜的方法，其特征在于：步驟2中所述一定厚度AB膠是控制其膠厚度為5μm～20μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種轉(zhuǎn)移ITO薄膜的方法，其特征在于：步驟4中所述一定溫度為75℃～80℃，所述一定時(shí)間為30分鐘～120分鐘。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種轉(zhuǎn)移ITO薄膜的方法，其特征在于：步驟5中所述硝酸鐵溶液的重量百分比濃度為10%，所述刻蝕的時(shí)間為2小時(shí)～10小時(shí)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種轉(zhuǎn)移ITO薄膜的方法，其特征在于：所述AB膠是由環(huán)氧樹脂為基的雙組分耐高溫膠粘劑，為市售產(chǎn)品。