技術總結
本發明公開了一種轉移ITO薄膜的方法，先在銅箔上采用磁控濺射技術沉積一定厚度的ITO薄膜，然后在ITO薄膜的表面噴涂一定厚度的環氧樹脂AB膠，同時將噴涂了環氧樹脂AB膠的面與PET膜通過輥壓方式進行貼合，并在一定溫度下加熱一定時間使環氧樹脂AB膠固化，最后放入硝酸鐵刻蝕液去除銅箔，并用去離子水清洗后烘干，得到轉移的ITO薄膜。本發明解決了高溫沉積ITO薄膜向柔性襯底的轉移，有效提高PET柔性襯底ITO薄膜的光電性能，克服已有技術不能直接通過高溫沉積在柔性襯底上實現結晶態，或通過改進沉積工藝或薄膜制備方法的途徑對柔性襯底ITO薄膜結晶性能的提升也并不明顯的技術問題。

技術研發人員：朱歸勝;徐華蕊;陳一達;俞兆喆;趙昀云;顏東亮
受保護的技術使用者：桂林電子科技大學
文檔號碼：201611166575
技術研發日：2016.12.16
技術公布日：2017.05.17