1.一種雙室磁控濺射電子束鍍膜機，其特征在于：包括磁控濺射鍍膜系統(tǒng)、電子束鍍膜系統(tǒng)、轉換系統(tǒng)和總控制柜，所述磁控濺射鍍膜系統(tǒng)的控制端、所述電子束鍍膜系統(tǒng)的控制端和所述轉換系統(tǒng)的控制端均與所述總控制柜連接；
所述轉換系統(tǒng)包括轉換真空腔體、樣品臺、磁控濺射鍍膜樣品傳遞系統(tǒng)、電子束鍍膜樣品傳遞系統(tǒng)、樣品轉換傳遞系統(tǒng)、轉換真空腔體充氣機和轉換真空腔體抽氣機，所述轉換真空腔體上設置有樣品進出口，所述樣品進出口與所述樣品臺之間通過樣品進出傳遞系統(tǒng)連接，所述轉換真空腔體抽氣機的進氣口和所述轉換真空腔體充氣機的出口均與所述轉換真空腔體的內部連通，所述轉換真空腔體上設置有磁控濺射鍍膜口和電子束鍍膜口，所述樣品轉換傳遞系統(tǒng)設置在所述磁控濺射鍍膜口與所述電子束鍍膜口之間；
所述磁控濺射鍍膜系統(tǒng)包括磁控濺射真空腔體、磁控濺射系統(tǒng)、磁控濺射真空腔體樣品轉接系統(tǒng)和磁控濺射真空腔體抽氣機，所述磁控濺射系統(tǒng)設置在所述磁控濺射真空腔體內，所述磁控濺射真空腔體抽氣機的進氣口與所述磁控濺射真空腔體內部連通，所述磁控濺射真空腔體上設置有樣品口，所述磁控濺射真空腔體樣品轉接系統(tǒng)設置在所述樣品口與所述磁控濺射系統(tǒng)之間，所述磁控濺射真空腔體和所述轉換真空腔體通過所述磁控濺射鍍膜口和所述樣品口連通，所述磁控濺射真空腔體樣品轉接系統(tǒng)與所述樣品轉換傳遞系統(tǒng)和磁控濺射鍍膜樣品傳遞系統(tǒng)連接；
所述電子束鍍膜系統(tǒng)包括電子束真空腔體、電子束系統(tǒng)、電子束真空腔體樣品轉接系統(tǒng)和電子束真空腔體抽氣機，所述電子束系統(tǒng)設置在所述電子束真空腔體內，所述電子束真空腔體抽氣機的進氣口與所述電子束真空腔體內部連通，所述電子束真空腔體上設置有樣品口，所述電子束真空腔體樣品轉接系統(tǒng)設置在所述樣品口與所述電子束系統(tǒng)之間，所述電子束真空腔體和所述轉換真空腔體通過所述電子束鍍膜口和所述樣品口連通，所述電子束真空腔體樣品轉接系統(tǒng)與所述樣品轉換傳遞系統(tǒng)和電子束鍍膜樣品傳遞系統(tǒng)連接。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種雙室磁控濺射電子束鍍膜機，其特征在于：所述磁控濺射鍍膜系統(tǒng)還包括磁控濺射樣品加熱裝置、磁控濺射樣品轉動系統(tǒng)和磁控濺射膜厚監(jiān)控裝置，磁控濺射樣品設置在所述磁控濺射系統(tǒng)與所述磁控濺射樣品加熱裝置之間，所述磁控濺射膜厚監(jiān)控裝置設置在所述磁控濺射樣品與所述磁控濺射系統(tǒng)之間，所述磁控濺射樣品轉動系統(tǒng)控制所述磁控濺射樣品轉動；
所述電子束鍍膜系統(tǒng)還包括電子束鍍膜樣品加熱裝置、電子束鍍膜樣品轉動系統(tǒng)和電子束膜厚監(jiān)控裝置，電子束鍍膜樣品設置在所述電子束系統(tǒng)與所述電子束鍍膜樣品加熱裝置之間，所述電子束膜厚監(jiān)控裝置設置在所述電子束鍍膜樣品與所述電子束系統(tǒng)之間，所述電子束鍍膜樣品轉動系統(tǒng)控制所述電子束鍍膜樣品轉動。
3.根據(jù)權利要求2所述的一種雙室磁控濺射電子束鍍膜機，其特征在于：所述磁控濺射真空腔體和所述電子束真空腔體上分別設置有磁控濺射真空腔體充氣機和電子束真空腔體充氣機。