本公開涉及半導體制造，尤其涉及一種檢測石英坩堝的方法和裝置。

背景技術：

1、在直拉（cz）法拉制單晶硅棒（也可簡稱之為晶棒）的過程中，在石英坩堝內熔解多晶硅原料而生成硅熔液，將晶種浸漬于硅熔液中，一邊使石英坩堝和晶種旋轉一邊緩慢提拉晶種，由此使大的單晶在晶種的下端生長。根據cz法，可以提高大口徑硅單晶的成品率。

2、作為cz法拉制單晶硅棒的過程中保持硅熔液的容器，要求石英坩堝不變形，并且石英坩堝的內表面不存在缺陷。如果石英坩堝出現了變形，則拉制出的晶棒的形狀、品質將會產生變化，最嚴重的情況下，坩堝壁會與爐內結構物接觸而導致事故。如果石英坩堝與硅熔液接觸的內表面出現了斑點、氣泡或劃痕等缺陷，同樣會降低晶棒的品質，甚至會出現硅熔液泄露的情況。因此，通常需要對石英坩堝的外形參數以及缺陷進行檢測。

3、當前相關方案中，通常采用人工檢查的方式對石英坩堝進行檢測。然而，人工檢查的方式工作效率低下，并且檢測結果容易受到檢測人員的技術水平、經驗以及疲勞程度等主觀因素的影響，無法準確且客觀地對石英坩堝進行檢測。

技術實現思路

1、本公開提供了一種檢測石英坩堝的方法和裝置；能夠準確且客觀地對石英坩堝的外形參數以及缺陷進行檢測。

2、本公開的技術方案是這樣實現的：

3、第一方面，本公開提供了一種檢測石英坩堝的裝置，所述裝置包括：

4、具有開口的第一檢測室；

5、設置于所述第一檢測室內的基座，用于承載石英坩堝；

6、在所述第一檢測室中，布設于所述基座相對的兩側內壁的光源；

7、具有開口的第二檢測室，所述第二檢測室能夠從所述第一檢測室的開口進入或離開所述第一檢測室，并且在所述第二檢測室進入所述第一檢測室之后，所述基座和所述石英坩堝處于所述第二檢測室中；

8、設置于所述第二檢測室內的距離傳感器，用于在所述第二檢測室進入到所述第一檢測室之后，檢測所述石英坩堝的外形參數；

9、設置于所述第一檢測室內的拍照裝置，用于在所述第二檢測室離開所述第一檢測室之后，拍攝所述石英坩堝的內表面圖像；

10、確認部，被配置成根據所述石英坩堝的外形參數和所述石英坩堝的內表面圖像確認所述石英坩堝的檢測狀態。

11、第二方面，本公開提供了一種檢測石英坩堝的方法，所述方法應用于第一方面所述的檢測石英坩堝的裝置，所述方法包括：

12、在第二檢測室進入到第一檢測室之后，檢測石英坩堝的外形參數；

13、在所述第二檢測室離開所述第一檢測室之后，拍攝所述石英坩堝的內表面圖像；

14、根據所述石英坩堝的外形參數和所述石英坩堝的內表面圖像確認所述石英坩堝的檢測狀態。

15、本公開提供了一種檢測石英坩堝的方法和裝置；在第二檢測室進入到第一檢測室所提供的光學暗場檢測環境中，通過距離傳感器檢測石英坩堝的外形參數；在第二檢測室離開第一檢測室后所提供的明場檢測環境中，通過拍攝出石英坩堝的內表面圖像檢測石英坩堝內表面所存在的缺陷；根據檢測出的外形參數和缺陷確定石英坩堝的檢測狀態是否能夠繼續使用，無需進行人工檢查，就能夠準確且客觀地對石英坩堝進行檢測。

技術特征：

1.一種檢測石英坩堝的裝置，其特征在于，所述檢測石英坩堝的裝置包括：

2.根據權利要求1所述的檢測石英坩堝的裝置，其特征在于，所述第二檢測室的箱體材料由吸光材料制備而成，當所述基座及其承載的石英坩堝處于所述第二檢測室的內部空間時，所述基座及其承載的石英坩堝處于一光學暗室的環境。

3.根據權利要求1所述的檢測石英坩堝的裝置，其特征在于，所述距離傳感器為紅外線位移傳感器。

4.根據權利要求3所述的檢測石英坩堝的裝置，其特征在于，所述檢測石英坩堝的裝置還包括：控制部，被配置成在所述基座及其承載的石英坩堝處于所述第二檢測室的內部空間的情況下，控制所述距離傳感器在所述第二檢測室內的移動，以使得所述距離傳感器在移動過程中測量出所述石英坩堝的外形參數。

5.根據權利要求4所述的檢測石英坩堝的裝置，其特征在于，所述控制部，被配置成：

6.根據權利要求5所述的檢測石英坩堝的裝置，其特征在于，所述控制部，被配置成：

7.根據權利要求6所述的檢測石英坩堝的裝置，其特征在于，所述控制部，被配置成：

8.根據權利要求2至7任一項所述的檢測石英坩堝的裝置，其特征在于，所述確認部，被配置成：

9.根據權利要求1所述的檢測石英坩堝的裝置，其特征在于，所述確認部，被配置成：

10.一種檢測石英坩堝的方法，其特征在于，所述方法應用于權利要求1至9任一項所述的檢測石英坩堝的裝置，所述方法包括：

技術總結
本公開提供了一種檢測石英坩堝的方法和裝置；該裝置包括：具有開口的第一檢測室；設置于第一檢測室內的基座，用于承載石英坩堝；在第一檢測室中，布設于基座相對的兩側內壁的光源；具有開口的第二檢測室，第二檢測室能夠從第一檢測室的開口進入或離開第一檢測室，并且在第二檢測室進入第一檢測室之后，基座和石英坩堝處于第二檢測室中；設置于第二檢測室內的距離傳感器，用于在第二檢測室進入到第一檢測室之后，檢測石英坩堝的外形參數；設置于第一檢測室內的拍照裝置，用于在第二檢測室離開第一檢測室之后，拍攝石英坩堝的內表面圖像；確認部，用于根據石英坩堝的外形參數和石英坩堝的內表面圖像確認石英坩堝的檢測狀態。

技術研發人員：陳凡
受保護的技術使用者：西安奕斯偉材料科技股份有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28