本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種半導體襯底的制造方法。
背景技術：
1、隨著半導體科技的日新月異的進步，對于半導體制造、加工的要求越來越高。半導體襯底包含多個電子元件并廣泛應用。大多數的半導體襯底可以利用化學氣相沉積形成為板狀的薄膜。也有采用高溫熱處理的技術來制造半導體襯底。然而，這些方法存在一些問題，如溫度不易控制，耗能高，成本高，而且襯底材料結構不穩定等問題，難以滿足現代電子行業對高質量、低成本的半導體器件的需求。
2、因此，亟待提供一種改進的半導體襯底的制造方法以克服以上缺陷。
技術實現思路
1、本發明的目的在于提供一種改進的半導體襯底的制造方法，操作簡單、易于控制，從而降低制造成本，提高半導體襯底結構的穩定性及成分均勻性。
2、為實現上述目的，本發明半導體襯底的制造方法，包括以下步驟：
3、提供半導體襯底基材，所述半導體襯底基材包括含硅材料；
4、在真空環境下，照射所述半導體襯底基材的表面使所述表面熔融形成液態表面；以及
5、在所述液態表面沉積薄膜層以獲得半導體襯底，所述薄膜層為氮化硅和/氧化硅。
6、與現有技術相比，本發明在真空環境下對半導體襯底基材進行表面照射，從而使表面熔融形成液態表面，繼而在液態表面形成氮化硅和/氧化硅的薄膜層，從而獲得半導體襯底，在真空環境下操作可使得照射操作更簡便，而且有利于后續的薄膜層的沉積，使薄膜層與液態表面結合在一起，最終固化后形成強結合。本發明通過薄膜層首先與液態形態的液體表面的進行結合，這樣使得制造出的半導體襯底的成分更均勻，厚度更可控，最終獲得的半導體襯底結合更穩定，從而提高半導體襯底的性能。
7、較佳地，通過激光束或電子束照射所述半導體襯底基材的表面。
8、較佳地，所述激光束或電子束的照射能量為100mj-500mj。
9、較佳地，形成所述薄膜層具體包括：在所述液態表面通過化學氣相沉積形成所述薄膜層，控制所述液態表面和所述薄膜層的溫度，使所述薄膜層和所述液態表面之間形成結合。
10、較佳地，所述溫度為1100℃至1200℃。
11、較佳地，所述真空環境的氣壓為1.0×10-2pa至2.0×10-2pa。
12、較佳地，沉積所述薄膜層后，還包括將所述液體表面固化。
1.一種半導體襯底的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.如權利要求1所述的半導體襯底的制造方法，其特征在于，通過激光束或電子束照射所述半導體襯底基材的表面。
3.如權利要求2所述的半導體襯底的制造方法，其特征在于，所述激光束或電子束的照射能量為100mj-500mj。
4.如權利要求1所述的半導體襯底的制造方法，其特征在于，形成所述薄膜層具體包括：在所述液態表面通過化學氣相沉積形成所述薄膜層，控制所述液態表面和所述薄膜層的溫度，使所述薄膜層和所述液態表面之間形成結合。
5.如權利要求4所述的半導體襯底的制造方法，其特征在于，所述溫度為1100℃至1200℃。
6.如權利要求1所述的半導體襯底的制造方法，其特征在于：所述真空環境的氣壓為1.0×10-2pa至2.0×10-2pa。
7.如權利要求1所述的半導體襯底的制造方法，其特征在于，沉積所述薄膜層后，還包括將所述液體表面固化。