本揭露是有關于一種半導體晶粒及其制造方法。

背景技術：

1、一般在碳化硅(silicon?carbide,sic)金屬氧化物半導體場效應晶體管(metaloxide?semiconductor?field?effect?transistor,mosfet)中，晶體管的柵極接墊、源極接墊以及漏極接墊設置為矩形。

2、然而，半導體晶粒(semiconductor?die)的周邊區(qū)域相較于中心區(qū)域在工藝期間更容易受到應力與熱損壞。舉例來說，位在半導體晶粒的角落與邊緣的晶體管接墊在晶圓分割時可能受到應力碎裂或破裂。此外，在封裝處理與可靠度測試期間，這些接墊較易承受熱累積而損壞。這可能降低半導體晶粒的可靠度，是半導體元件熱設計中的一大挑戰(zhàn)。

3、因此，如何提出一種可解決上述問題的半導體晶粒及其制造方法，是目前業(yè)界亟欲投入研發(fā)資源解決的問題之一。

技術實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本揭露的一目的在于提出一種可有解決上述問題的半導體元件及其制造方法。

2、為了達到上述目的，依據(jù)本揭露的一些實施方式，一種半導體晶粒包括第一晶體管與第二晶體管。第一晶體管位于半導體晶粒的周邊區(qū)域中。第一晶體管包括第一接墊。以俯視觀之，第一接墊具有六邊形的第一外緣。第二晶體管位于半導體晶粒的中心區(qū)域中。第二晶體管包括第二接墊。以俯視觀之，第二接墊具有矩形的第二外緣。周邊區(qū)域環(huán)繞中心區(qū)域且第一晶體管共同環(huán)繞第二晶體管。

3、依據(jù)本揭露的另一些實施方式，一種制造半導體晶粒的方法包括提供基材。基材包括周邊區(qū)域與中心區(qū)域。周邊區(qū)域環(huán)繞中心區(qū)域。方法還包括形成第一晶體管于周邊區(qū)域中。第一晶體管分別具有第一接墊。以俯視觀之，第一接墊具有六邊形的第一外緣。方法還包括形成第二晶體管于中心區(qū)域中。第二晶體管具有第二接墊。以俯視觀之，第二接墊具有矩形的第二外緣。第一晶體管共同環(huán)繞第二晶體管。

4、綜上所述，于本揭露的一些實施方式的半導體晶粒及其制造方法中，在中心區(qū)域的接墊維持為矩形的情況下，將周邊區(qū)域的接墊設置為六邊形，可以改善周邊區(qū)域的應力集中與熱堆積的問題，防止位于周邊區(qū)域的接墊破裂或失效。此外，六邊形接墊相較于矩形接墊具有更大的通道密度與電流密度，有助于降低單位面積的導通電阻，因此可以改善晶體管的漏電流。相較于常見的半導體晶粒及其制造方法，可以提高裝置的可靠度。

5、本揭露的這些與其他方面通過結合附圖對優(yōu)選實施例進行以下的描述，本揭露的實施例將變得顯而易見，但在不脫離本揭露的新穎概念的精神和范圍的情況下，可以進行其中的變化和修改。

技術特征：

1.一種半導體晶粒，其特征在于，包含：

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體晶粒，其特征在于，所述半導體晶粒具有最外緣，且所述第二接墊的所述第二外緣具有第一直邊、第二直邊、第三直邊以及第四直邊，其中所述第一直邊與所述最外緣之間具有所述多個第一晶體管中的第一者的至少一部分，所述第二直邊與所述最外緣之間具有所述多個第一晶體管中的第二者的至少一部分，所述第三直邊與所述最外緣之間具有所述多個第一晶體管中的第三者的至少一部分，且所述第四直邊與所述最外緣之間具有所述多個第一晶體管中的第四者的至少一部分。

3.根據(jù)權利要求1所述的半導體晶粒，其特征在于，還包含另一第二晶體管于所述中心區(qū)域中，其中所述多個第一晶體管中的一者的所述第一接墊延伸至所述第二晶體管的所述第二接墊與所述另一第二晶體管的所述第二接墊之間。

4.根據(jù)權利要求1所述的半導體晶粒，其特征在于，所述第一接墊為源極或柵極，且所述第二接墊為源極或柵極。

5.根據(jù)權利要求1所述的半導體晶粒，其特征在于，還包含第三晶體管于所述周邊區(qū)域中且包含第三接墊，其中以俯視觀之，所述第三接墊具有梯形的第三外緣，且所述第三晶體管位于所述第二晶體管與所述多個第一晶體管中的一者之間。

6.根據(jù)權利要求1所述的半導體晶粒，其特征在于，還包含第三晶體管于所述周邊區(qū)域中且包含第三接墊，其中以俯視觀之，所述第三接墊具有梯形的第三外緣且所述第三晶體管位于所述半導體晶粒的最外緣與所述多個第一晶體管中的一者之間。

7.一種制造半導體晶粒的方法，其特征在于，包含：

8.根據(jù)權利要求7所述的方法，其特征在于，還包含形成另一第二晶體管于所述中心區(qū)域中，其中所述多個第一晶體管中的一者的所述第一接墊延伸至所述第二晶體管的所述第二接墊與所述另一第二晶體管的所述第二接墊之間。

9.根據(jù)權利要求7所述的方法，其特征在于，還包含形成第三晶體管于所述周邊區(qū)域中，其中所述第三晶體管包含第三接墊，且以俯視觀之，所述第三接墊具有梯形的第三外緣且所述第三晶體管位于所述第二晶體管與所述多個第一晶體管中的一者之間。

10.根據(jù)權利要求7所述的方法，其特征在于，還包含形成第三晶體管于所述周邊區(qū)域中，其中所述第三晶體管包含第三接墊，且以俯視觀之，所述第三接墊具有梯形的第三外緣且所述第三晶體管位于所述基材的最外緣與所述多個第一晶體管中的一者之間。

技術總結
一種半導體晶粒包括第一晶體管與第二晶體管。第一晶體管位于半導體晶粒的周邊區(qū)域中。第一晶體管包括第一接墊。以俯視觀之，第一接墊具有六邊形的第一外緣。第二晶體管位于半導體晶粒的中心區(qū)域中。第二晶體管包括第二接墊。以俯視觀之，第二接墊具有矩形的第二外緣。周邊區(qū)域環(huán)繞中心區(qū)域。第一晶體管共同環(huán)繞第二晶體管。以改善周邊區(qū)域的應力集中與熱堆積的問題。

技術研發(fā)人員：蔣光浩
受保護的技術使用者：鴻揚半導體股份有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/4/28