本發明涉及栓皮櫟無性繁殖技術，尤其是一種栓皮櫟組培苗生根誘導方法。
背景技術：
栓皮櫟（Quercus variabilis Bl）又名軟木櫟、粗皮青岡、白麻櫟，系殼斗科（Fagaceae）櫟屬喬木，樹冠廣卵形，樹干多，灰褐色，深縱裂，木栓層特厚。小枝淡褐色，雄花序生于當年生枝下部，雌花單生或雙生與當年生枝葉腋。花期5月；果翌年9-10月成熟。是中國重要的用材樹種。栓皮櫟喜光，常生于山地陽坡，但幼樹以有側方庇蔭為好。對氣候，土壤的適應性強。能耐-20℃的低溫，在pH4-8的酸性，中性及石灰性土壤中均有生長，亦耐干旱、瘠薄、而以深厚、肥沃、適當濕潤而排水良好的壤土和沙質壤土最適宜，不耐積水。產遼寧、河北、山西、陜西、甘肅、山東、江蘇、安徽、浙江、江西、福建、中國臺灣、河南、湖北、湖南、廣東、廣西、四川、貴州、云南等省區。華北地區通常生于海拔800米以下的陽坡，西南地區可達海拔2000-3000米。
目前，栓皮櫟常見的栽培方式為播種造林。組織培養技術是一種快速無性繁殖技術，選擇栓皮櫟優良家系或者無性系為材料，通過組織培養方法繁殖苗木，既可以滿足生產上的數量要求，又可保持母本性狀。然而在組培過程中，常常出現生根率低、生根不統一、根系數量少以及根系不粗壯的問題。
技術實現要素：
本發明的目的在于提供一種能提高栓皮櫟組培苗的生根率，根系數量以及根系萌發整齊度的栓皮櫟組培苗生根誘導方法。
為了實現上述發明目的，本發明的技術方案如下：
一種栓皮櫟組培苗生根誘導方法，選取增殖繼代栓皮櫟小苗，先進行預生根培養，然后再進行生根培養，置于適宜環境中培養，獲得帶根組培苗，主要操作步驟如下：
（1）取材：選取經常規組培中壯芽培養35～40d的栓皮櫟繼代芽，消毒瓶子外表后，在超凈工作臺上的無菌空間內，選取繼代芽叢中生長健壯、高度1～2cm的單芽，于節下2～3mm處剪切，清除基部葉片和葉柄，備用；
（2）預生根培養：將步驟（1）修剪后的單芽接種于預生根培養基中,在特定的光溫環境中進行預生根培養；
（3）生根培養：待步驟（2）中的單芽經過30～35d預生根培養后，將單芽轉接入生根培養基，在特定的光溫環境中進行生根培養。
以上所述的預生根培養基其原料含量為：1/2改良MS培養基+NAA 1.0～2.0mg/L+活性炭6g/L++VC 15mg/L+蔗糖25g/L+瓊脂5.0g/L。
以上所述的生根培養基其原料含量為：1/2改良MS培養基+IAA 1.0～2.0mg/L+ABT1#0.5～2.0 mg/L+蔗糖25g/L+瓊脂5.0g/L。
以上所述的改良MS培養基的基本組成為：KNO3 950 mg/L；NH4NO3 790 mg/L；CaCl2·2H2O 260 mg/L；MgSO4·7H2O 386 mg/L；Ca(NO3)2·4H2O 600 mg/L；KH2PO4 315 mg/L；MnSO4·H2O 22.3 mg/L；ZnSO4·7H2O 8.6 mg/L；CuSO4·5H2O 0.025 mg/L；H3BO3 6.2 mg/L；Na2MoO4·2H2O 0.025 mg/L；KI 0.83 mg/L；CoCl2·6H2O 0.025 mg/L；維生素B1 1.0 mg/L；維生素B6 0.5 mg/L；煙酸 0.5 mg/L；甘氨酸 2.0 mg/L；肌醇 90 mg/L。
以上步驟（2）和步驟（3）所述的光溫環境為：溫度20±1℃，濕度40～45%，光照強度2000～2500lux，光照15～16h/d。
本發明具有的優點及有益效果如下：
1、本發明采用1/2改良MS培養基作為基本培養基，同時重點調整了與栓皮櫟生根的相關的微量元素和有機成分，使得培養基更科學，更有針對性，更易促使栓皮櫟繼代芽生根，效果顯著。
2、本發明在生根誘導前采用低濃度NAA和抗壞血酸（VC）對繼代單芽進行預生根培養，然后再進行生根培養，可使組培苗發根統一，發根速度快，根系粗壯且數量較多。
3、本發明在增殖繼代單芽經過30～35d時間預生根培養后轉入生根培養，即可達到預生根培養效果，又避免了小苗在預生根培養階段長出根系而使后期生根培養發根不整齊。
4、本發明的在特定的光溫條件下進行預生根和生根培養，適應栓皮櫟組培苗的生長特性，促進苗木的生長。
5、本發明縮短了栓皮櫟繼代芽生根周期，生根率高，根系多，質量好，生根組培苗移栽成活率高，可實現栓皮櫟組培產業化育苗，為人工無性系林的建設提供優質種苗，具有較好的經濟效益、社會效益和生態效益。
具體實施方式
下面結合具體實施例對本發明作進一步說明。
實施例1：
選取經常規組培中壯芽培養35～36d的栓皮櫟繼代芽，消毒瓶子外表后，在超凈工作臺上的無菌空間內，選取繼代芽叢中生長健壯、高度1～2cm的單芽，于節下2～3mm處剪切，清除基部葉片和葉柄。將修剪后的單芽接種于預生根培養基中,置于溫度20±1℃，濕度40%，光照強度2000lux，光照16h/d的條件下進行預生根培養。其中所述的預生根培養基其原料含量為：1/2改良MS培養基+NAA 1.0mg/L+活性炭6g/L++VC 15mg/L+蔗糖25g/L+瓊脂5.0g/L。
單芽經過30～35d預生根培養后，將單芽轉接入生根培養基，置于溫度20±1℃，濕度40%，光照強度2000lux，光照16h/d的條件下進行生根培養。所述的生根培養基其原料含量為：1/2改良MS培養基+IAA 1.0mg/L+ABT1#0.5 mg/L+蔗糖25g/L+瓊脂5.0g/L。
以上所述的改良MS培養基的基本組成為：KNO3 950 mg/L；NH4NO3 790 mg/L；CaCl2·2H2O 260 mg/L；MgSO4·7H2O 386 mg/L；Ca(NO3)2·4H2O 600 mg/L；KH2PO4 315 mg/L；MnSO4·H2O 22.3 mg/L；ZnSO4·7H2O 8.6 mg/L；CuSO4·5H2O 0.025 mg/L；H3BO3 6.2 mg/L；Na2MoO4·2H2O 0.025 mg/L；KI 0.83 mg/L；CoCl2·6H2O 0.025 mg/L；維生素B1 1.0 mg/L；維生素B6 0.5 mg/L；煙酸 0.5 mg/L；甘氨酸 2.0 mg/L；肌醇 90 mg/L。
實施例2：
選取經常規組培中壯芽培養36～37d的栓皮櫟繼代芽，消毒瓶子外表后，在超凈工作臺上的無菌空間內，選取繼代芽叢中生長健壯、高度1～2cm的單芽，于節下2～3mm處剪切，清除基部葉片和葉柄。將修剪后的單芽接種于預生根培養基中,置于溫度20±1℃，濕度40%，光照強度2500lux，光照15h/d的條件下進行預生根培養。其中所述的預生根培養基其原料含量為：1/2改良MS培養基+NAA 1.5mg/L+活性炭6g/L++VC 15mg/L+蔗糖25g/L+瓊脂5.0g/L。
單芽經過30～35d預生根培養后，將單芽轉接入生根培養基，置于溫度20±1℃，濕度40%，光照強度2500lux，光照15h/d的條件下進行生根培養。所述的生根培養基其原料含量為：1/2改良MS培養基+IAA 1.0mg/L+ABT1#1.0 mg/L+蔗糖25g/L+瓊脂5.0g/L。
以上所述的改良MS培養基的基本組成為：KNO3 950 mg/L；NH4NO3 790 mg/L；CaCl2·2H2O 260 mg/L；MgSO4·7H2O 386 mg/L；Ca(NO3)2·4H2O 600 mg/L；KH2PO4 315 mg/L；MnSO4·H2O 22.3 mg/L；ZnSO4·7H2O 8.6 mg/L；CuSO4·5H2O 0.025 mg/L；H3BO3 6.2 mg/L；Na2MoO4·2H2O 0.025 mg/L；KI 0.83 mg/L；CoCl2·6H2O 0.025 mg/L；維生素B1 1.0 mg/L；維生素B6 0.5 mg/L；煙酸 0.5 mg/L；甘氨酸 2.0 mg/L；肌醇 90 mg/L。
實施例3：
選取經常規組培中壯芽培養37～38d的栓皮櫟繼代芽，消毒瓶子外表后，在超凈工作臺上的無菌空間內，選取繼代芽叢中生長健壯、高度1～2cm的單芽，于節下2～3mm處剪切，清除基部葉片和葉柄。將修剪后的單芽接種于預生根培養基中,置于溫度20±1℃，濕度45%，光照強度2000lux，光照16h/d的條件下進行預生根培養。其中所述的預生根培養基其原料含量為：1/2改良MS培養基+NAA 2.0mg/L+活性炭6g/L++VC 15mg/L+蔗糖25g/L+瓊脂5.0g/L。
單芽經過30～35d預生根培養后，將單芽轉接入生根培養基，置于溫度20±1℃，濕度45%，光照強度2000lux，光照16h/d的條件下進行生根培養。所述的生根培養基其原料含量為：1/2改良MS培養基+IAA 2.0mg/L+ABT1#1.5 mg/L+蔗糖25g/L+瓊脂5.0g/L。
以上所述的改良MS培養基的基本組成為：KNO3 950 mg/L；NH4NO3 790 mg/L；CaCl2·2H2O 260 mg/L；MgSO4·7H2O 386 mg/L；Ca(NO3)2·4H2O 600 mg/L；KH2PO4 315 mg/L；MnSO4·H2O 22.3 mg/L；ZnSO4·7H2O 8.6 mg/L；CuSO4·5H2O 0.025 mg/L；H3BO3 6.2 mg/L；Na2MoO4·2H2O 0.025 mg/L；KI 0.83 mg/L；CoCl2·6H2O 0.025 mg/L；維生素B1 1.0 mg/L；維生素B6 0.5 mg/L；煙酸 0.5 mg/L；甘氨酸 2.0 mg/L；肌醇 90 mg/L。
實施例4：
選取經常規組培中壯芽培養39～40d的栓皮櫟繼代芽，消毒瓶子外表后，在超凈工作臺上的無菌空間內，選取繼代芽叢中生長健壯、高度1～2cm的單芽，于節下2～3mm處剪切，清除基部葉片和葉柄。將修剪后的單芽接種于預生根培養基中,置于溫度20±1℃，濕度45%，光照強度2500lux，光照15h/d的條件下進行預生根培養。其中所述的預生根培養基其原料含量為：1/2改良MS培養基+NAA 2.0mg/L+活性炭6g/L++VC 15mg/L+蔗糖25g/L+瓊脂5.0g/L。
單芽經過30～35d預生根培養后，將單芽轉接入生根培養基，置于溫度20±1℃，濕度45%，光照強度2500lux，光照15h/d的條件下進行生根培養。所述的生根培養基其原料含量為：1/2改良MS培養基+IAA 2.0mg/L+ABT1#2.0 mg/L+蔗糖25g/L+瓊脂5.0g/L。
以上所述的改良MS培養基的基本組成為：KNO3 950 mg/L；NH4NO3 790 mg/L；CaCl2·2H2O 260 mg/L；MgSO4·7H2O 386 mg/L；Ca(NO3)2·4H2O 600 mg/L；KH2PO4 315 mg/L；MnSO4·H2O 22.3 mg/L；ZnSO4·7H2O 8.6 mg/L；CuSO4·5H2O 0.025 mg/L；H3BO3 6.2 mg/L；Na2MoO4·2H2O 0.025 mg/L；KI 0.83 mg/L；CoCl2·6H2O 0.025 mg/L；維生素B1 1.0 mg/L；維生素B6 0.5 mg/L；煙酸 0.5 mg/L；甘氨酸 2.0 mg/L；肌醇 90 mg/L。