本發明屬于育苗技術領域，具體涉及一種利用模擬組培技術進行育苗的方法及其應用。

背景技術：

目前，常用的育苗技術有扦插育苗和組培育苗兩種方法，其中，扦插育苗技術因其繁殖速度慢(一年一代)、繁殖率低、成活率差(一般只有30-60％)，故而只能對一些容易生根的植物進行常規繁殖育苗，而對于新品種、名貴樹種而言則不能在短期內達到快速繁殖上市的目的，遠遠滿足不了人們的需求；而組織培養技術卻可以彌補扦插育苗的缺陷，具有繁殖快、成活率高的優點，但由于組培技術對環境條件的要求較高，且需要技術水平較高的技術人才操作、管理，因而生產環節復雜、生產成本高、投資成本大，并不適于大規模推廣應用。再加之近年來國內外生態建設、經濟林建設的迅速發展及其對花卉的大量需求，使得一些植物新品種的培育遠遠跟不上市場的需要，這就對育苗技術的發展提出了更高的要求。

例如，中國專利文獻CN101720658A公開了一種無土栽培構樹苗的方法，該方法包括下述步驟：1)配制無土基質并消毒：所述無土基質由草炭和珍珠巖組成；2)裝缽：步驟1)配制的無土基質裝在營養缽內，然后再把裝基質的營養缽碼放在畦床或苗盤內；3)在步驟2)的無土基質營養缽中對構樹苗的進行栽培，進行消毒，然后蓋塑料棚進行養護成苗。上述方案中通過改良基質，增強基質的透氣性，添加草炭提高營養，使得育苗生根、發芽和生長速度快，縮短育苗周期，成活率高，成本低。然而在上述方案中還存在如下缺陷：其雖然包括兩次消毒殺菌的步驟，一次是在配制基質時僅對該基質進行消毒，另一次是在扦插穗條之后進行消毒殺菌，兩次消毒都是在開放的環境中，由于是在開放的環境中進行消毒，而不是密閉的環境，即使對基質進行消毒，開放環境中的耐藥性較強或活力強的病菌容易混入消毒后的基質中生長繁殖，導致扦插穗條生長的環境消毒殺菌不徹底，容易被雜菌污染、腐爛穗條，比如當根源基形成時間超出10天時，插入基質的穗條部分就會腐爛，造成育苗失敗，從而將延長生根時間、致使苗木生長速度減慢、成苗周期延長、成活率降低；又由于其直接將扦插穗條插入基質中培育，而并沒有對扦插穗條進行預處理，導致該技術與采用從培養瓶內培育獲得的組培幼株培育相比，成活率低，苗木培育時間長，投資成本高。

技術實現要素：

因此，本發明要解決的技術問題在于克服現有的育苗方法所存在的育苗成活率低，育苗周期長和成本高缺陷，從而提供一種成活率高、育苗周期短和成本低的模擬組培育苗方法及應用。

為此，本發明提供了一種模擬組培育苗方法，包括如下步驟：

(1)構建拱棚并在所述拱棚內設置用于育苗的苗床，密封所述拱棚，然后對所述拱棚內部進行一次殺菌消毒；

(2)對用于育苗的外植體進行預處理，然后插于所述苗床上，密封所述拱棚并對所述拱棚內部進行二次殺菌消毒；

(3)控制所述拱棚內的溫度、相對濕度和光照強度以進行育苗養護；

(4)煉苗；

(5)移栽至大田種植。

所述的模擬組培育苗方法，在所述步驟(3)中，所述溫度為25-35℃；所述相對濕度為80-95％；所述光照強度為3000-4000Lux，每日光照10-12h。

所述的模擬組培育苗方法，在所述步驟(2)中，所述外植體為母本硬枝枝條，以含有至少兩個芽眼的枝條為為一莖段剪段，并確保所述莖段的形態學上端為平口、形態學下端為斜口，將所述莖段的形態學下端蘸生根劑，然后將所述形態學下端插入所述苗床的基質中，深度為2-3cm；或

所述外植體為嫩枝，將其剪成單芽莖段，將所述單芽莖段的形態學下端用生根劑浸泡，然后將所述形態學下端插入所述苗床的基質中，深度為2-3cm。

所述的模擬組培育苗方法，所述外植體為母本硬枝枝條時所采用的生根劑為含有IAA和NAA的混合液，所述IAA的濃度為15-25mg/L，所述NAA的濃度為25-35mg/L；所述外植體為嫩枝時所采用的生根劑為含有IAA和NAA的混合液，所述IAA的濃度為1.5-2.5mg/L，所述NAA的濃度為2.5-3.5mg/L。

優選的，所述外植體為母本硬枝枝條，采用的生根劑為含有IAA和NAA的混合液，所述IAA的濃度為20mg/L，所述NAA的濃度為30mg/L；所述外植體為嫩枝，采用的生根劑為含有IAA和NAA的混合液，所述IAA的濃度為2mg/L，所述NAA的濃度為3mg/L。

所述的模擬組培育苗方法，在所述步驟(1)中，采用700-900倍液的殺菌劑噴透所述苗床中的基質以實現對所述拱棚的一次殺菌消毒；

在所述步驟(2)中，配制950-1050倍液的殺菌劑對所述拱棚內進行二次消毒殺菌，噴施量為噴透所述苗床中基質的1/2-2/3。

優選的，在所述步驟(1)中，配制750-850倍液的殺菌劑對所述拱棚內進行一次消毒殺菌。

優選的，在所述步驟(2)中，配制1000倍液的殺菌劑對所述拱棚內進行二次消毒殺菌，每間隔3天一次，共噴4-5次。

所述殺菌劑選自甲基托布津、多菌靈和百菌清中任意一種或多種的混合物。

所述的模擬組培育苗方法，所述苗床的基質包括草炭：珍珠巖：蛭石，且草炭：珍珠巖：蛭石質量比為2-4:1:1。優選的，草炭：珍珠巖：蛭石的質量比為3:1:1

所述的模擬組培育苗方法，所述苗床中的基質與水按照質量比為8-10:1混合均勻并裝入穴盤中，由若干個所述穴盤緊密排放構成所述苗床。

所述的模擬組培育苗方法，在所述步驟(4)中，待所述步驟(3)中的莖段生長為根莖葉俱全且高度在15～25cm的幼苗后，在所述拱棚上部設置通風口，即開始煉苗，隨著所述煉苗的時間增加，所述通風口逐漸增大直至完全揭去所述棚膜，所述煉苗結束。

所述的模擬組培育苗方法，所述拱棚的拱寬為2-2.2m，拱高為1.1-1.3m，所述拱棚的總長度為22-26m。優選的，所述拱棚的拱寬為2.1m，拱高為1.2m，所述拱棚的總長度為24m。

還包括在構建好的所述拱棚內的地面和/或頂部設置用于噴水或噴藥的微型噴頭的步驟。

本發明還提供了一種上述的模擬組培育苗方法在培育花卉和樹木的用途，優選的，所述的用途為在培育西紅柿、金葉榆、白蠟、朝鮮黃楊、玫瑰和構樹的用途。

本發明技術方案，具有如下優點：

(1)本發明所述的一種模擬組培育苗方法，包括如下步驟：(1)構建拱棚并在所述拱棚內設置用于育苗的苗床，密封所述拱棚，然后對所述拱棚內部進行殺菌消毒；(2)對用于育苗的外植體進行預處理，然后插于所述苗床上，密封所述拱棚并對所述拱棚內部進行二次殺菌消毒；(3)控制所述拱棚內的溫度、相對濕度和光照強度進行育苗養護；(4)煉苗；(5)移栽至大田種植；在上述方法中，一方面通過起始便構建密封的拱棚，然后在密封的拱棚中進行兩次消毒，一次是搭建完拱棚以及設置苗床后對拱棚內部進行消毒形成一個相對無菌的環境，然后在此基礎上進行扦插，扦插后再次進行消毒，使得扦插的枝條在生根之前處于一個相對無菌的環境中育苗，病菌少，不容易被雜菌污染和腐蝕，生根快，生長速度快，成活率高，又通過控制養護育苗期間拱棚內的溫度、相對濕度和光照強度，使得枝條處于一個優勢的環境中生根育苗，促進其生根、育苗；另一方面所述模擬組培育苗方法將扦插育苗方法和組培育苗方法有機結合在一起，同時克服了組培育苗中需要組培室、高壓滅菌、無菌水、培養瓶、瓊脂培養基和絕對無菌生長環境等高標條件的缺陷和扦插育苗中繁殖速度慢、繁殖率低、成活率差的缺陷，獲得了投資成本低廉，取材容易，成活率高，育苗數量大，一個拱棚在一年的時間里，可以育苗三批，育苗效率高，經濟效益高等有益效果。

(2)本發明所述的一種模擬組培育苗方法，通過在所述步驟(3)中，控制所述溫度為25-35℃，所述相對濕度為80-95％，所述光照強度為3000-4000Lux，每日光照10-12h，使得枝條處于一個優勢的環境中生根育苗，生根快，生長速度快，育苗周期短。

(3)本發明所述的一種模擬組培育苗方法，通過在所述步驟(2)中，所述外植體為母本硬枝枝條，以含有至少兩個芽眼的枝條為莖段，所述莖段形態學上端為平口，形態學下端為斜口，將所述莖段的形態學下端蘸生根劑，然后將所述形態學下端插入所述苗床的基質中；或所述外植體為嫩枝，選擇當年生枝條，剪成單芽莖段，將所述單芽莖段的形態學下端用生根劑浸泡，然后將形態學下端插入所述苗床的基質中，密封所述拱棚；通過選擇上述枝條或嫩枝作為扦插穗條，保證所述枝條或嫩枝在插入基質后容易生根，提高生根率，縮短生根時間，進而縮短育苗周期，并且遺傳形狀穩定，可以在生態樹種、經濟林、花卉、蔬菜新品種育苗上得到推廣應用。

(4)本發明所述的一種模擬組培育苗方法，所述外植體為母本硬枝枝條，采用的生根劑為含有IAA和NAA的混合液，所述IAA的濃度為15-25mg/L，所述NAA的濃度為25-35mg/L；所述外植體為嫩枝，采用的生根劑為含有IAA和NAA的混合液，所述IAA的濃度為1.5-2.5mg/L，所述NAA的濃度為2.5-3.5mg/L；通過將枝條或嫩枝使用生根劑，使得所述枝條或嫩枝更容易生根，提高生根率，縮短生根時間。

(5)本發明所述的一種模擬組培育苗方法，所述苗床的基質包括草炭：珍珠巖：蛭石的質量比為(2-4):1:1，使得所述枝條或嫩枝更容易生長，生長速度快。

(6)本發明所述的一種模擬組培育苗方法，通過在所述步驟(4)中，待所述步驟(3)中的莖段生長為幼苗達到出圃標準后開始煉苗，在所述拱棚上部設置通風口，逐步降低棚內濕度和溫度，隨著所述煉苗的時間增加，所述通風口逐漸增大直至完全揭去所述棚膜，所述煉苗結束；通過上述步驟煉苗，使得出圃的幼苗能夠逐漸適應環境，顯著提高其成活率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明具體實施方式或現有技術中的技術方案，下面將對具體實施方式或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發明的一些實施方式，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發明實施例1所述的經過煉苗后的雜交構樹圖；

圖2是本發明實施例1所述的經過煉苗后的雜交構樹圖；

圖3是本發明實施例2所述的煉苗期間的雜交構樹圖。

具體實施方式

下述實施中涉及到的殺菌劑或生根劑等均為市售產品，如IAA購自廣州市林國化肥有限公司；NAA購自廣州市林國化肥有限公司；甲基托布津購自江蘇龍燈化學有限公司；多菌靈購自廣州市林國化肥有限公司；百菌清購自利民化工股份有限公司。

實施例1

本實施例提供了一種模擬組培育苗方法，在4月份，將北京懷柔區東關科技園的雜交構樹大苗(1年生，高度150cm)1200株，定干60cm，作為母本樹育苗，以采集育苗材料用，在北京懷柔區東關科技園進行該構樹的模擬組培育苗，步驟如下：

(1)構建拱棚，建立所述拱棚26個，每個所述拱棚的拱寬為2.1m，拱高為1.2m，所述拱棚的總長度為24m，所述拱棚內設置用于育苗的苗床，所述苗床的基質按照草炭：珍珠巖：蛭石的質量比為3:1:1配制，所述基質與水按照質量比為8:1混合均勻裝入72穴的穴盤中，由若干個所述穴盤緊密排放構成所述苗床，所述拱棚內還安裝了微噴頭，配置小型蓄水池、水泵、電器和補光燈等設備；采用塑料棚膜覆蓋所述拱棚，以密封所述拱棚；然后配制1000倍液的甲基托布津溶液，通過所述微噴頭噴灌進行消毒殺菌，噴施量為將所述穴盤內的基質噴透，做到徹底殺菌的目的；

(2)從所述母本樹采集當年生嫩枝條，剪成單芽莖段，將其葉片修剪成直徑為5cm的桃形小葉，將所述單芽莖段的形態學下端用生根劑浸泡10-20分鐘，浸入所述生根劑中的長度為2cm，所述生根劑為為含有IAA和NAA的混合液，所述IAA的濃度為2mg/L，所述NAA的濃度為3mg/L，然后掀開棚膜，將浸泡生根劑的一端插入所述苗床的基質中，插入的深度為2.5cm，插滿后，立即覆蓋所述塑料棚膜，密封所述拱棚，用1000倍液的多菌靈對所述拱棚內部進行殺菌消毒，噴施時間1分鐘，每間隔3天一次，共噴4-5次；

(3)育苗養護：在上述步驟進行消毒殺菌的同時控制所述拱棚內的溫度、相對濕度和光照強度進行育苗養護；在晴天時，通過在上午9:30之前不覆蓋遮陽網，在9:30-16:00時段在棚上覆蓋遮陽網，下午16:00后撤掉遮陽網，來保持和調控所述拱棚棚內的溫度在25℃之間，最高不能超過40℃，所述光照強度為3000Lux，每日光照12h，采用微噴頭噴水調節所述棚內濕度，一般噴水5-6次，每次時間不超過50分鐘，控制棚內相對濕度在95％之間，在一天的護理當中，9:30-16:00時段是護理的重點，調控好溫度、光照、濕度三者的關系，采用遮陽網調節棚內溫度，采用微噴噴水調節棚內濕度；在陰天時，不遮蓋遮陽網，噴水次數減少或不噴，適當時使用補光燈，來調控所述棚內溫度為25℃，所述相對濕度為95％，所述光照強度為3000Lux，每日光照12h。在養護育苗第5-12天使莖段發根時期，調控好溫度、光照、濕度三者的關系；第12天以后大部分莖段生根，自身有了吸收水分、養分的能力，抗逆性明顯增強；第17天幾乎全部生根，此時由莖段轉變成幼苗，新生莖葉開始生長；第20天后進入生長高峰，第30天幼苗長到了30cm左右，達到了出圃的標準；

(4)煉苗：將上述培育30天的構樹幼苗開始煉苗，將所述拱棚上部的棚膜揭去形成通風口，所述拱棚的中下部由所述棚膜遮蓋，所述棚膜遮蓋所述拱棚的2/3，第一天通風時間應在早晨太陽未出之前開放或選擇陰雨天，逐步降低棚內濕度和溫度，隨著所述煉苗的時間增加，所述通風口逐漸增大直至完全揭去所述棚膜，所述煉苗結束，總共煉苗一周，育成的構樹苗如圖1-2所示；

(5)移栽至大田種植，苗木成活率達到98％。

實施例2

本實施例提供了一種模擬組培育苗方法，在4月份，將江蘇省常州市孟河基地種植的雜交構樹苗木(2年生，高度160cm)50000株，定干72cm，作為母本樹，以采集育苗材料用，在江蘇省常州市孟河基地進行該構樹的模擬組培育苗，步驟如下：

(1)構建拱棚，建立所述拱棚26個，每個所述拱棚的拱寬為2.2m，拱高為1m，所述拱棚的總長度為24m，在所述拱棚外部還搭建有大拱棚用于遮擋雨水，所述拱棚內設置用于育苗的苗床，所述苗床的基質按照草炭：珍珠巖：蛭石的質量比為4:1:1配制，所述基質與水按照質量比為10:1混合均勻裝入72穴的穴盤中，由若干個所述穴盤緊密排放構成所述苗床，所述拱棚內的頂部安裝了微噴頭，在拱棚內還配置小型蓄水池、水泵、電器和補光燈等設備；采用塑料棚膜覆蓋所述拱棚，以密封所述拱棚，然后配制850倍液的多菌靈溶液，通過所述微噴頭噴灌進行消毒殺菌，噴施量為將所述穴盤內的基質噴透，達到徹底殺菌的目的；

(2)從所述母本樹采集硬枝枝條，以含有至少兩個芽眼的枝條為莖段，所述莖段形態學上端為平口，形態學下端為斜口，將所述莖段的形態學下端蘸取生根劑，所述生根劑為含有IAA和NAA的混合液，所述IAA的濃度為15mg/L，所述NAA的濃度為35mg/L，然后掀開棚膜，將形態學下端插入所述苗床的基質中，插入的深度為2.5cm，插滿后，立即覆蓋所述塑料棚膜，密封所述拱棚，用1050倍液的甲基托布津對所述拱棚內部進行殺菌消毒，噴施量為噴透基質的1/2，每隔1天一次，共噴4-5次；

(3)育苗養護：在上述步驟進行消毒殺菌的同時通過控制所述拱棚內的溫度、相對濕度和光照強度進行育苗養護；在晴天時，通過在上午9:30之前不覆蓋遮陽網，在9:30-16:00時段在棚上覆蓋遮陽網，下午16:00后撤掉遮陽網，來保持和調控所述拱棚棚內的溫度在35℃，最高不能超過40℃，所述光照強度為4000Lux，每日光照10h，采用微噴頭噴水調節所述棚內濕度，一般噴水5-6次，每次時間不超過50分鐘，控制棚內相對濕度在80％之間，在一天的護理當中，9:30-16:00時段是護理的重點調控好溫度、光照、濕度三者的關系，采用遮陽網調節棚內溫度，采用微噴噴水調節棚內濕度；在陰天時，不遮蓋遮陽網，噴水次數減少或不噴，適當時使用補光燈，來調控所述棚內溫度為35℃，所述相對濕度為80％，所述光照強度為4000Lux，每日光照10h。在養護育苗第5-12天使莖段發根時期，調控好溫度、光照、濕度三者的關系；第12天以后大部分莖段生根，自身有了吸收水分、養分的能力，抗逆性明顯增強；第17天幾乎全部生根，此時由莖段轉變成幼苗，新生莖葉開始生長；第20天后進入生長高峰，第27天幼苗長到了20cm左右，達到了出圃的標準；

(4)煉苗：將上述培育27天的構樹幼苗開始煉苗，將所述拱棚中部的棚膜揭開形成通風口如圖3所示，所述拱棚的上部和下部由所述棚膜遮蓋，所述棚膜遮蓋所述拱棚的3/4，逐步降低棚內濕度和溫度，隨著所述煉苗的時間增加，所述通風口逐漸增大直至完全揭去所述棚膜，所述煉苗結束，總共煉苗一周；

(5)移栽至大田種植，苗木成活率達到99％。

實施例3

本實施例提供了一種模擬組培育苗方法，在4月份，將江蘇省常州市孟河基地種植的番茄樹苗木(2年生)4000株，作為母本樹，以采集育苗材料用，在江蘇省常州市孟河基地進行該番茄樹的模擬組培育苗，步驟如下：

(1)構建拱棚，建立所述拱棚26個，每個所述拱棚的拱寬為2.2m，拱高為1m，所述拱棚的總長度為24m，在所述拱棚外部還搭建有大拱棚用于遮擋雨水，所述拱棚內設置用于育苗的苗床，所述苗床的基質按照草炭：珍珠巖：蛭石的質量比為2:1:1配制，所述基質與水按照質量比為9:1混合均勻裝入72穴的穴盤中，由若干個所述穴盤緊密排放構成所述苗床，所述拱棚內頂部還安裝了微噴頭，所述拱棚內還配置小型蓄水池、水泵、電器和補光燈等設備；采用塑料棚膜覆蓋所述拱棚，以密封所述拱棚，然后配制750倍液的多菌靈溶液，通過所述微噴頭噴灌進行消毒殺菌，噴施量為將所述穴盤內的基質噴透，以徹底殺菌；

(2)從所述母本樹采集硬枝枝條，以含有至少兩個芽眼的枝條為莖段，所述莖段形態學上端為平口，形態學下端為斜口，將所述莖段的形態學下端蘸生根劑，所述生根劑為為含有IAA和NAA的混合液，所述IAA的濃度為25mg/L，所述NAA的濃度為25mg/L，然后掀開棚膜，將形態學下端插入所述苗床的基質中，插入的深度為3cm，插滿后，立即覆蓋所述塑料棚膜，密封所述拱棚，用950倍液的甲基托布津對所述拱棚內部進行殺菌消毒，噴施量為噴透基質的1/2，每隔1天一次，共噴4-5次；

(3)育苗養護：在上述步驟進行消毒殺菌的同時通過控制所述拱棚內的溫度、相對濕度和光照強度進行育苗養護；在晴天時，通過在上午9:30之前不覆蓋遮陽網，在9:30-16:00時段在棚上覆蓋遮陽網，下午16:00后撤掉遮陽網，來保持和調控所述拱棚棚內的溫度在25℃之間，所述光照強度為4000Lux，每日光照12h，采用微噴頭噴水調節所述棚內濕度，一般噴水5-6次，每次時間不超過50分鐘，控制棚內相對濕度在80％之間，在一天的護理當中，9:30-16:00時段是護理的重點調控好溫度、光照、濕度三者的關系，采用遮陽網調節棚內溫度，采用微噴噴水調節棚內濕度；在陰天時，不遮蓋遮陽網，噴水次數減少或不噴，適當時使用補光燈，來調控所述棚內溫度為25℃，所述相對濕度為80％，所述光照強度為4000Lux，每日光照12h。在養護育苗第5-12天使莖段發根時期，調控好溫度、光照、濕度三者的關系；第13天以后大部分莖段生根，自身有了吸收水分、養分的能力，抗逆性明顯增強；第15天幾乎全部生根，此時由莖段轉變成幼苗，新生莖葉開始生長；第18天后進入生長高峰，第28天幼苗長到了25cm，達到了出圃的標準；

(4)煉苗：將上述培育28天的番茄樹幼苗開始煉苗，將所述拱棚上部的棚膜揭去形成通風口，所述拱棚的中下部由所述棚膜遮蓋，所述棚膜遮蓋所述拱棚的1/4，逐步降低棚內濕度和溫度，隨著所述煉苗的時間增加，所述通風口逐漸增大直至完全揭去所述棚膜，所述煉苗結束；

(5)移栽至大田種植，苗木成活率達到98％。

實施例4

本實施例提供了一種模擬組培育苗方法，在4月份，將江蘇省常州市孟河基地種植的雜交金葉榆苗木(2年生，高度140cm)4000株，定干50cm，作為母本樹，以采集育苗材料用，在江蘇省常州市孟河基地進行該金葉榆的模擬組培育苗，步驟如下：

(1)構建拱棚，建立所述拱棚26個，每個所述拱棚的拱寬為2.2m，拱高為1m，所述拱棚的總長度為24m，在所述拱棚外部還搭建有大拱棚用于遮擋雨水，所述拱棚內設置用于育苗的苗床，所述苗床的基質按照草炭：珍珠巖：蛭石的質量比為4:1:1配制，所述基質與水按照質量比為9:1混合均勻裝入72穴的穴盤中，由若干個所述穴盤緊密排放構成所述苗床，所述拱棚內還安裝了微噴頭，配置小型蓄水池、水泵、電器和補光燈等設備；采用塑料棚膜覆蓋所述拱棚，以密封所述拱棚，然后配制750倍液的多菌靈溶液，通過所述微噴頭噴灌進行消毒殺菌，噴施量為將所述穴盤內的基質噴透，做到徹底殺菌的目的；

(2)從所述母本樹采集硬枝枝條，以含有至少兩個芽眼的枝條為莖段，所述莖段上端為平口，下端為斜口，將所述莖段的下端蘸生根劑，所述生根劑為為含有IAA和NAA的混合液，所述IAA的濃度為25mg/L，所述NAA的濃度為25mg/L，然后掀開棚膜，將浸泡生根劑的一端插入所述苗床的基質中，插入的深度為3cm，插滿后，立即覆蓋所述塑料棚膜，密封所述拱棚，用950倍液的甲基托布津對所述拱棚內部進行殺菌消毒，噴施量為噴透基質的1/2，每隔1天一次，共噴4-5次；

(3)育苗養護：在上述步驟進行消毒殺菌的同時通過控制所述拱棚內的溫度、相對濕度和光照強度進行育苗養護；在晴天時，通過在上午9:30之前不覆蓋遮陽網，在9:30-16:00時段在棚上覆蓋遮陽網，下午16:00后撤掉遮陽網，來保持和調控所述拱棚棚內的溫度在35℃之間，所述光照強度為3000Lux，每日光照10h，采用微噴頭噴水調節所述棚內濕度，一般噴水5-6次，每次時間不超過50分鐘，控制棚內相對濕度在95％之間，在一天的護理當中，9:30-16:00時段是護理的重點調控好溫度、光照、濕度三者的關系，采用遮陽網調節棚內溫度，采用微噴噴水調節棚內濕度；在陰天時，不遮蓋遮陽網，噴水次數減少或不噴，適當時使用補光燈，來調控所述棚內溫度為35℃，所述相對濕度為95％，所述光照強度為3000Lux，每日光照10h。在養護育苗第5-12天使莖段發根時期，調控好溫度、光照、濕度三者的關系；第13天以后大部分莖段生根，自身有了吸收水分、養分的能力，抗逆性明顯增強；第18天幾乎全部生根，此時由莖段轉變成幼苗，新生莖葉開始生長；第22天后進入生長高峰，第30天幼苗長到了22cm，達到了出圃的標準；

(4)煉苗：將上述培育30天的金葉榆幼苗開始煉苗，將所述拱棚上部的棚膜揭去形成通風口，所述拱棚的中下部由所述棚膜遮蓋，所述棚膜遮蓋所述拱棚的2/3，逐步降低棚內濕度和溫度，隨著所述煉苗的時間增加，所述通風口逐漸增大直至完全揭去所述棚膜，所述煉苗結束，煉苗時間為一周；

(5)將上述煉苗后的金葉榆移栽至大田種植，苗木成活率達到95％。實施例5

本實施例提供了一種模擬組培育苗方法，在4月份，將北京懷柔區東關科技園的玫瑰(1年生)100株，作為母本樹育苗，以采集育苗材料用，在北京懷柔區東關科技園進行該玫瑰的模擬組培育苗，步驟如下：

(1)構建拱棚，建立所述拱棚26個，每個所述拱棚的拱寬為2-2.2m，拱高為1.2m，所述拱棚的總長度為24m，共計面積為1372.8m²，所述拱棚內設置用于育苗的苗床，所述苗床的基質按照草炭：珍珠巖：蛭石的質量比為3:1:1配制，所述基質與水按照質量比為9:1混合均勻裝入72穴的穴盤中，由若干個所述穴盤緊密排放構成所述苗床，所述拱棚內還安裝了微噴頭，配置小型蓄水池、水泵、電器和補光燈等設備；采用塑料棚膜覆蓋所述拱棚，以密封所述拱棚，然后配制800倍液的百菌清溶液，通過所述微噴頭噴灌進行消毒殺菌，噴施量為將所述穴盤內的基質噴透，達到徹底殺菌的目的；

(2)從所述母本樹采集當年生嫩枝條，剪成單芽莖段，將其葉片修剪成直徑為5cm的桃形小葉，將所述單芽莖段的形態學下端用生根劑浸泡15分鐘，浸入所述生根劑中的長度為2cm，所述生根劑為含有IAA和NAA的混合液，所述IAA的濃度為2.5mg/L，所述NAA的濃度為2.5mg/L，然后掀開棚膜，將浸泡生根劑的一端插入所述苗床的基質中，插入的深度為2.5cm，插滿后，立即覆蓋所述塑料棚膜，密封所述拱棚，用800倍液的多菌靈對所述拱棚內部進行殺菌消毒，噴施時間1分鐘，每間隔2天一次，共噴4-5次；

(3)育苗養護：在上述步驟進行消毒殺菌的同時通過控制所述拱棚內的溫度、相對濕度和光照強度進行育苗養護；在晴天時，通過在上午9:30之前不覆蓋遮陽網，在9:30-16:00時段在棚上覆蓋遮陽網，下午16:00后撤掉遮陽網，來保持和調控所述拱棚棚內的溫度在30℃之間，所述光照強度為3500Lux，每日光照11h，采用微噴頭噴水調節所述棚內濕度，一般噴水5-6次，每次時間不超過50分鐘，控制棚內相對濕度在88％之間，在一天的護理當中，9:30-16:00時段是護理的重點調控好溫度、光照、濕度三者的關系，采用遮陽網調節棚內溫度，采用微噴噴水調節棚內濕度；在陰天時，不遮蓋遮陽網，噴水次數減少或不噴，適當時使用補光燈，來調控所述棚內溫度為30℃，所述相對濕度為88％，所述光照強度為3500Lux，每日光照11h；在養護育苗第5-12天莖段發根時期，調控好溫度、光照、濕度三者的關系；第13天以后大部分莖段生根，自身有了吸收水分、養分的能力，抗逆性明顯增強；第16天幾乎全部生根，此時由莖段轉變成幼苗，新生莖葉開始生長；第20天后進入生長高峰，第30天幼苗長到了30cm左右，達到了出圃的標準；

(4)煉苗：將上述培育30天的玫瑰幼苗開始煉苗，將所述拱棚上部的棚膜揭去形成通風口，所述拱棚的中下部由所述棚膜遮蓋，所述棚膜遮蓋所述拱棚的2/3，第一天通風時間應在早晨太陽未出之前開放或選擇陰雨天，逐步降低棚內濕度和溫度，隨著所述煉苗的時間增加，所述通風口逐漸增大直至完全揭去所述棚膜，所述煉苗結束，煉苗時間為一周；

(5)將煉苗后的玫瑰移栽至大田種植，苗木成活率達到96％。

對比例1

本實施例提供了一種育苗方法，在4月份，將北京懷柔區東關科技園的雜交構樹大苗(1年生，高度150cm)1200株，定干60cm，作為母本樹育苗，以采集育苗材料用，在北京懷柔區東關科技園按照中國專利文獻CN101720658A中實施例1的方法育苗，包括如下步驟：

1、配制無土基質：

草炭晾曬干后用粉碎機粉碎，并用0.8-1.2厘米孔徑的篩子過篩；

將經過上述處理的草炭和珍珠巖以體積比45∶55的比例混合，得到無土基質；

2、無土基質消毒處理：將步驟1制備的無土基質用600倍的甲基托布津溶液消毒處理，處理至基質濕潤即可；

3、裝缽：把消過毒的無土基質裝在口徑6-8厘米、高8-10厘米的營養缽內，裝8-9成滿即可，最后把裝基質的營養缽碼放在畦床或苗盤內；

4、栽植組培苗：從所述母本樹采集當年生嫩枝條，剪成單芽莖段，將其葉片修剪成直徑為5cm的桃形小葉，然后栽植在無土營養缽內，栽植時幼苗根部按緊，然后澆一次定根水，最后用600倍甲托溶液消毒后再蓋塑料棚養護生根，第18天生根率達80％，第55天成苗即可煉苗、移栽，苗木成活率達到85％。

對比例2

本實施例提供了一種育苗方法，在4月份，將北京懷柔區東關科技園的雜交構樹大苗(1年生，高度150cm)1200株，定干60cm，作為母本樹育苗，以采集育苗材料用，在北京懷柔區東關科技園按照中國專利文獻

CN101720658A中實施例1的方法育苗，包括如下步驟：

1、配制無土基質：

草炭晾曬干后用粉碎機粉碎，并用0.8-1.2厘米孔徑的篩子過篩；

將經過上述處理的草炭和珍珠巖以體積比50∶50的比例混合，得到無土基質；

2、無土基質消毒處理：將步驟1制備的無土基質用600倍的甲基托布津溶液消毒處理，處理至基質濕潤即可；

3、裝缽：把消過毒的無土基質裝在口徑6-8厘米、高8-10厘米的營養缽內，裝8-9成滿即可，最后把裝基質的營養缽碼放在畦床或苗盤內；

4、栽植組培苗：把從所述母本樹采集當年生嫩枝條，剪成單芽莖段，將其葉片修剪成直徑為5cm的桃形小葉，將所述單芽莖段的形態學下端用生根劑浸泡10-20分鐘，浸入所述生根劑中的長度為2cm，所述生根劑為為含有IAA和NAA的混合液，所述IAA的濃度為2mg/L，所述NAA的濃度為3mg/L，將浸泡生根劑的一端插入無土營養缽內，插入的深度為2.5cm，栽植時幼苗根部按緊，然后澆一次定根水，最后用600倍甲托溶液消毒后再蓋小工棚內養護，第20天生根率達80％，第50天成苗即可煉苗、移栽，苗木成活率達到88％。

對比例3

本實施例提供了一種育苗方法，在4月份，將北京懷柔區東關科技園的雜交構樹大苗(1年生，高度150cm)1200株，定干60cm，作為母本樹育苗，以采集育苗材料用，在北京懷柔區東關科技園進行按照中國專利文獻CN101578962A中的方法育苗，包括如下步驟：

a、建立溫室和苗床

模擬組織培養試管微環境的溫室，由拱架3，噴水降溫的彌霧微噴頭4，補光燈5和帶定時器6與電磁閥7的水管8組成。拱架上加蓋微膜組成拱棚整體，拱棚高70厘米。拱棚中加配全角補光燈5，光飽和點為40000Lux。苗床由便于排水的林木專用育苗穴盤1和珍珠巖基質2組成。苗床寬1米，長3米，高0.7米。

b、制備離體材料和無機營養液

從所述母本樹采集當年生嫩枝條，剪成單芽莖段，將其葉片修剪成直徑為5cm的桃形小葉，滅菌，用熔化的固體石蠟密封其形態學上端切口，將其形態學下端切口浸泡于濃度為100mg.kg^-1綠色植物生長調節劑溶液中0.50h，備用；

無機營養液是由按下列重量比配方是：硝酸鈣950份、硝酸鉀80份、磷酸二氫銨155份、硫酸鎂483份、螯合鐵40份、硫酸錳2.13份、硼酸2.80份、硫酸鋅0.22份、硫酸銅0.08份、鉬酸銨0.02份，水溶至重量比為0.05％-0.1％。

c、種苗培養

設置溫室培養條件為：光照強度3000～4000Lux，光照周期是每天14h光照和10h黑暗，通過通風、換氣，降低苗床內相對溫度為22～28℃，提高氣孔開閉功能，減少生理及形態異常的植株，培養基質濕度為70％；

將離體材料繁于育苗穴盤上；

快繁初期(即細胞活化期)，24小時噴施一次；愈傷組織生根期，24小時噴施兩次；煉苗移栽期，24小時噴施三次；

調節空氣濕度在快繁初期的細胞活化期為85～95％，愈傷組織生根期為80～90％，煉苗移栽期為75～85％；

第20天生根率達80％，55天成苗即可煉苗、移栽，苗木成活率達到82％。

顯然，上述實施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而并非對實施方式的限定。對于所屬領域的普通技術人員來說，在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本發明創造的保護范圍之中。