專利名稱：用于熱絲化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的終端連接器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型的實(shí)施例大體上涉及使用熱絲化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的半導(dǎo)體處理。
背景技術(shù)：
在熱絲化學(xué)氣相沉積(HWCVD)處理中，一種或更多種前驅(qū)氣體在處理腔室內(nèi)最接近基板的地方在高溫下熱分解，在所述熱分解之后，將沉積期望的材料。在處理腔室內(nèi)，通過(guò)在所述處理腔室中受支撐的一個(gè)或更多個(gè)絲或細(xì)絲來(lái)促進(jìn)熱分解反應(yīng)，例如，通過(guò)使電流流過(guò)所述細(xì)絲，可使所述絲或細(xì)絲加熱至期望溫度。在垂直平面中使絲保持張緊的當(dāng)前方法為在垂直平面中利用附接于絲末端處的重物來(lái)夾持所述絲，由此通過(guò)重力提供張力。在水平平面中使絲保持張緊的當(dāng)前方法為在HWCVD處理腔室內(nèi)使用附接至框架的較短長(zhǎng)度的絲，以使得所述短絲的膨脹不會(huì)引起不穩(wěn)定性。在終端連接區(qū)域處保護(hù)絲的當(dāng)前方法為利用氣流在所述終端連接區(qū)域周?chē)a(chǎn)生正壓力，由此防止工藝氣體進(jìn)入絲終端連接區(qū)域。

實(shí)用新型內(nèi)容考慮到以上陳述的涉及傳統(tǒng)技術(shù)的問(wèn)題，發(fā)明人已提供了一種用于在HWCVD處理腔室中張緊絲的改進(jìn)的方法和設(shè)備。在此提供用于在熱絲化學(xué)氣相沉積(HWCVD)系統(tǒng)中支撐絲的設(shè)備。在一些實(shí)施例中，一種用于熱絲化學(xué)氣相沉積(HWCVD)系統(tǒng)的終端連接器可包括基底；絲夾，所述絲夾沿軸相對(duì)于所述基底可移動(dòng)地安置；反射罩，所述反射罩沿所述軸從所述絲夾沿第一方向延伸；以及張緊裝置，所述張緊裝置耦接至所述基底和絲夾，以沿與所述第一方向相反的第二方向偏移所述絲夾。在一些實(shí)施例中，一種用于HWCVD系統(tǒng)的終端連接器可包括基底；絲夾，所述絲夾沿軸相對(duì)于所述基底可移動(dòng)地安置；導(dǎo)引裝置，所述導(dǎo)引裝置穿過(guò)所述基底安置，以限制所述絲夾的除所述絲夾相對(duì)于所述基底的線性移動(dòng)外的沿所有方向的移動(dòng)；反射罩，所述反射罩沿所述軸從所述絲夾沿第一方向延伸，所述反射罩包括內(nèi)壁，所述內(nèi)壁界定與所述軸對(duì)準(zhǔn)的圓柱形開(kāi)口，并且所述內(nèi)壁沿所述軸延伸以覆蓋所述絲，其中所述內(nèi)壁經(jīng)研磨以反射熱量；以及張緊裝置，所述張緊裝置耦接至所述基底和絲夾，以沿與所述第一方向相反的第二方向偏移所述絲夾。在一些實(shí)施例中，一種用于HWCVD系統(tǒng)的終端連接器可包括基底；絲夾，所述絲夾沿軸相對(duì)于所述基底可移動(dòng)地安置；導(dǎo)引裝置，所述導(dǎo)引裝置穿過(guò)所述基底安置，以限制所述絲夾的除所述絲夾相對(duì)于所述基底線性移動(dòng)外的沿所有方向的移動(dòng)；反射罩，所述反射罩沿所述軸從所述絲夾沿第一方向延伸并且穿過(guò)所述導(dǎo)引裝置；彈簧，所述彈簧圍繞著所述反射罩纏繞并且耦接于所述基底與所述絲夾之間，以使所述絲夾遠(yuǎn)離所述基底偏移；以及電連接器，所述電連接器電耦接至所述絲夾，以在使用期間當(dāng)絲固定于所述絲夾中時(shí)向絲提供電功率。[0008]本文提供用于在處理腔室中張緊絲并且遮蔽絲遠(yuǎn)離在所述處理腔室中使用的前驅(qū)氣體的設(shè)備。具有創(chuàng)造性的方法可有利地使在處理腔室中使用的絲的壽命增加，并且防止所述絲的硅化。在下文描述其它和進(jìn)一步的實(shí)施例。

可參照附圖中圖示的本實(shí)用新型的說(shuō)明性實(shí)施例來(lái)理解在上文簡(jiǎn)要概述并且在下文更詳細(xì)地討論的本實(shí)用新型的實(shí)施例。然而，應(yīng)注意，所述附圖僅圖示本實(shí)用新型的典型實(shí)施例，因此所述附圖不應(yīng)視為限制本實(shí)用新型的范圍，因?yàn)楸緦?shí)用新型可允許其它同等有效的實(shí)施例。圖1為根據(jù)本實(shí)用新型一些實(shí)施例的熱絲CVD處理腔室的示意性側(cè)視圖。圖2為根據(jù)本實(shí)用新型一些實(shí)施例的熱絲CVD處理腔室中的絲布置的示意性俯視圖。圖3為根據(jù)本實(shí)用新型一些實(shí)施例的終端連接器。圖4為圖3中所示的終端連接器的橫截面。圖5為多個(gè)根據(jù)本實(shí)用新型一些實(shí)施例的終端連接器。為促進(jìn)理解，在可行的情況下，已使用相同元件符號(hào)來(lái)指代各圖共有的相同元件。各圖未按比例繪制，并且為清晰起見(jiàn)各圖可能被簡(jiǎn)化。預(yù)期一個(gè)實(shí)施例的元件和特征結(jié)構(gòu)可能有利地包含在其它實(shí)施例中而未進(jìn)一步敘述。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型的實(shí)施例 提供用于在熱絲化學(xué)氣相沉積(HWCVD)處理腔室中張緊絲，并且用于在終端連接處遮蔽所述絲使絲遠(yuǎn)離在HWCVD處理腔室中使用的前驅(qū)氣體的改進(jìn)的方法和設(shè)備。本實(shí)用新型的實(shí)施例可用在各種HWCVD工藝中。例如，HWCVD可用于沉積非晶硅p-1-n結(jié)構(gòu)，所述非晶硅p-1-n結(jié)構(gòu)適合于制造太陽(yáng)能裝置。此外，HWCVD可用于沉積其它薄膜和結(jié)構(gòu)。例如，HWCVD可用于沉積金屬-聚合物納米復(fù)合物。圖1圖示適合于根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例使用的HWCVD處理腔室100的示意性側(cè)視圖。處理腔室100通常包括腔室主體102，所述腔室主體102具有內(nèi)部處理空間104。多個(gè)細(xì)絲或絲110安置在腔室主體102內(nèi)(例如，內(nèi)部處理空間104內(nèi))。所述多個(gè)絲110也可為橫跨內(nèi)部處理空間104往復(fù)布線的單個(gè)絲。所述多個(gè)絲110包括HWCVD源。絲110可包括任何適合的導(dǎo)電材料，例如，鎢、鉭、銥等等。絲110可具有適合于提供期望溫度以促進(jìn)處理腔室100中的處理的任何厚度。例如，在一些實(shí)施例中，每個(gè)絲110可具有約O.1mm至約3mm的直徑，或在一些實(shí)施例中，每個(gè)絲110可具有約O. 5mm的直徑。用于HWCVD系統(tǒng)100中的絲110的長(zhǎng)度多達(dá)兩米至三米。當(dāng)加熱絲110時(shí)，所述絲110膨脹。諸如在下文參照?qǐng)D2至圖4所描述的，通過(guò)連接器將每個(gè)絲110夾持在適當(dāng)位置，以保持每個(gè)絲在被加熱至高溫時(shí)是拉緊的，并且向所述絲110提供電氣接觸以促進(jìn)加熱所述絲110。電源112耦接至絲110，以提供電流來(lái)加熱所述絲110。電源112可通過(guò)在下文參照?qǐng)D2至圖4所描述的連接器耦接至絲110。基板130可定位于HWCVD源(例如，絲110)下方，例如，定位于基板支撐件128上。基板支撐件128可為靜止的，以用于靜態(tài)沉積，或者基板支撐件128可移動(dòng)以用于動(dòng)態(tài)沉積，因?yàn)榛?30在HWCVD源下方經(jīng)過(guò)。腔室主體102還包括用于提供一種或更多種工藝氣體的一個(gè)或更多個(gè)氣體入口(圖示為一個(gè)氣體入口 132)，和耦接至真空泵(未圖示)的一個(gè)或更多個(gè)出口(圖示為兩個(gè)出口 134)以在處理腔室100內(nèi)維持適合的處理壓力，并去除多余的工藝氣體和/或工藝副產(chǎn)物。氣體入口 132可饋送至噴淋頭133 (如圖所示)或其它適合的氣體分配元件中，以均勻地或按需要在絲110上方分配氣體。在一些實(shí)施例中，可提供一個(gè)或更多個(gè)罩120，以最小化在腔室主體102的內(nèi)表面上的不想要的沉積。替代地或以組合的方式，一個(gè)或更多個(gè)腔室襯墊122可用于簡(jiǎn)化清潔。罩和襯墊的使用可排除或減少不想要的清潔氣體的使用，所述清潔氣體諸如溫室氣體NF3。罩120和腔室襯墊122通常保護(hù)腔室主體102的內(nèi)表面以避免因在腔室中流動(dòng)的工藝氣體而不希望地收集沉積材料。罩120和腔室襯墊122可以是可去除的、可替換的和/或可清潔的。罩120和腔室襯墊122可設(shè)置為覆蓋腔室主體的可被涂覆的每個(gè)區(qū)域，所述可被涂覆的每個(gè)區(qū)域包括，但不限于圍繞絲110的周?chē)屯扛哺羰业乃斜谏稀Ｍǔ＃?20和腔室襯墊122可由鋁(Al)制造，并且罩120和腔室襯墊122可具有粗糙表面，以增強(qiáng)沉積材料的附著力(以防止沉積材料的剝離)。可以任何適合的方式在處理腔室100的期望區(qū)域中安裝罩120和腔室襯墊122，所述期望區(qū)域諸如圍繞HWCVD源的周?chē)Ｔ谝恍?shí)施例中，可通過(guò)打開(kāi)處理腔室100的上部來(lái)移除源、罩和襯墊以進(jìn)行維護(hù)和清潔。例如，在一些實(shí)施例中，處理腔室100的蓋或頂板可沿凸緣138耦接至腔室主體102，所述凸緣138支撐所述蓋并提供將所述蓋緊固至所述腔室主體102的表面。控制器106可耦接至處理腔室100的各個(gè)組件，以控制所述各個(gè)組件的操作。盡管將控制器106示意性地圖示為耦接至處理腔室100，但為了控制HWCVD沉積處理，可將控制器106以可操作的方式連接至可由控制器106控制的任何組件，諸如電源112，耦接至入口 132的氣體供應(yīng)(未圖示)，耦接至出口 134的真空泵和/或節(jié)流閥(未圖示)，基板支撐件128等等。控制器106可為任何形式的通用計(jì)算機(jī)處理器中的一種，所述通用計(jì)算機(jī)處理器可用在工業(yè)裝置中控制各個(gè)腔室和子處理器。圖2圖示根據(jù)本實(shí)用新型一些實(shí)施例的熱絲CVD處理腔室100的部分的示意性俯視圖。如圖2所示，安置于腔室主體102內(nèi)的多個(gè)絲110可耦接至多個(gè)連接器202。連接器202可將絲110支撐于處理腔 室100內(nèi)的想要的位置處，例如，沿腔室主體102的壁，但是也可使用其它位置。連接器202可耦接至支撐結(jié)構(gòu)204，以在處理腔室100內(nèi)以期望的位置和配置支撐所述連接器202 (和絲110)。替代地或以組合的方式，連接器202中的一些或全部可直接安裝于腔室主體102中或腔室主體102上，或安裝于可充當(dāng)支撐結(jié)構(gòu)204的處理腔室的一些其它組件上。此外，支撐結(jié)構(gòu)204可包括一個(gè)或更多個(gè)塊，并且支撐結(jié)構(gòu)204可耦接在一起以形成單一結(jié)構(gòu)，或可將支撐結(jié)構(gòu)204提供作為在處理腔室100兩側(cè)的多個(gè)支撐結(jié)構(gòu)。圖3圖示根據(jù)本實(shí)用新型一些實(shí)施例的連接器202。連接器202可用于在處理腔室100中張緊絲110。必須一直將絲110固持在適當(dāng)張力下(或在適當(dāng)?shù)膹埩Ψ秶鷥?nèi))。可接受的張力范圍可取決于諸如絲的組分、絲的直徑、絲的操作溫度等等的因素。絲的張力過(guò)大會(huì)導(dǎo)致絲的斷裂，而絲的張力不足會(huì)導(dǎo)致絲松垂，這種狀況可能導(dǎo)致絲接觸另一個(gè)物體，例如，引起電氣短路，或如果接觸罩306則會(huì)使絲冷卻，絲冷卻會(huì)導(dǎo)致硅化。此外，絲的張力變化也會(huì)導(dǎo)致絲疲勞和斷裂。連接器202由基底302、絲夾304、反射罩306和張緊裝置310組成，所述絲夾304沿軸326相對(duì)于所述基底302可移動(dòng)地安置，所述反射罩306沿所述軸326從所述絲夾304沿第一方向308軸向延伸，所述張緊裝置310耦接至基底302和絲夾304，以沿與所述第一方向308相反的第二方向312偏移(bias)所述絲夾304。基底302包括導(dǎo)引裝置314，所述導(dǎo)引裝置314限制絲夾304的除所述絲夾304沿軸326相對(duì)于所述基底302線性移動(dòng)外的沿所有方向的移動(dòng)。絲夾304可包括第一夾持表面316和第二夾持表面318,所述第一夾持表面316和所述第二夾持表面318可向彼此偏移，以在絲110安置于所述第一夾持表面316與所述第二夾持表面318之間時(shí)向所述絲110施加足夠的力，從而在將特定力施加于所述絲110之后(諸如在軸向張緊所述絲110時(shí))防止所述絲110相對(duì)于絲夾304移動(dòng)。第一夾持表面316或第二夾持表面318可通過(guò)彈簧、螺絲、楔形物、凸輪等等中的一個(gè)或更多個(gè)偏移。絲夾304可包括內(nèi)部導(dǎo)管320,其中第一夾持表面316和第二夾持表面318安置于所述內(nèi)部導(dǎo)管320內(nèi)。絲夾304還可包括用于進(jìn)行從外部電源至連接器202的電氣連接的終端336。例如，終端336可包括螺栓，所述螺栓穿入絲夾304，諸如穿入第二夾持表面318的下部中，以在接近絲固持于連接器202中的位置的點(diǎn)處提供與所述絲的電氣連接。反射罩306包括內(nèi)壁322，所述內(nèi)壁322界定與軸326對(duì)準(zhǔn)的圓柱形開(kāi)口 324，并且所述內(nèi)壁322沿所述軸326延伸，以在反射罩306中從絲夾304至開(kāi)口 324覆蓋絲110。可研磨內(nèi)壁322以將從絲110輻射的熱量反射回所述絲110。開(kāi)口 324的直徑可為絲110的直徑的約2倍至約5倍。取決于使用期間的絲直徑和絲溫度，反射罩306從絲夾304至開(kāi)口 324的長(zhǎng)度為約5mm至約50mm。在一些實(shí)施例中，反射罩306可為管道。反射罩306可從絲夾304延伸。或者，反射罩306可為絲夾304的部分。連接器202包括基底302。基底302可由適合的工藝相容材料制成，所述材料諸如
招、青銅、鈦、銅合金等等。基底302具有螺母和螺栓系統(tǒng)328，所述螺母和螺栓系統(tǒng)328用于將所述基底302附接至處理腔室100。絲夾304穿`過(guò)導(dǎo)引裝置314而插入基底302內(nèi)。反射罩306軸向延伸至處理腔室100中并且與在CVD處理中使用的前驅(qū)氣體接觸。在一個(gè)實(shí)施例中，張緊裝置310包括螺母330和彈簧334。螺母330穿至絲夾304上，所述螺母330可由任何適合的材料制成，所述材料諸如銅鎳硅合金等等。在一些實(shí)施例中，可提供多個(gè)彈簧(例如，兩個(gè)彈簧)。在這些實(shí)施例中，可在鄰近的彈簧之間或在兩個(gè)彈簧之間插入墊圈332。或者，可在單個(gè)彈簧的實(shí)施例中提供墊圈332，以促進(jìn)所述彈簧沿絲夾304的自由移動(dòng)。墊圈332可安置在絲夾304上并且可沿所述絲夾304自由移動(dòng)。墊圈332可由任何適合的材料制成，所述材料諸如鋁青銅合金等等，并且墊圈332可沿絲夾304安置于螺母330與基底302之間。可選擇螺母330和/或墊圈332的材料以確保在絲夾304上的平穩(wěn)滑動(dòng)。彈簧334圍繞絲夾304纏繞，其中彈簧334的一個(gè)末端連接至螺母330，并且另一個(gè)末端連接至基底302。基于絲110的材料來(lái)選擇彈簧334。彈簧334必須能夠允許絲110的膨脹，同時(shí)還保持所述絲110處于足夠的張力下，以防止所述絲110松垂且不會(huì)斷裂。本實(shí)用新型的替代性實(shí)施例采用雙彈簧系統(tǒng)以用于更大的張力控制。在允許絲110變熱的任何適合位置處(參見(jiàn)圖1)，將來(lái)自連接至處理腔室100的外部電源112的電流耦接至終端連接器202。例如，可在絲夾處將電流耦接至終端連接器202，以促使所提供的電流與固定于絲夾中的絲之間進(jìn)行穩(wěn)固連接。從熱絲有利地去除圖3的實(shí)施例中彈簧334的位置，以最小化彈簧的熱變化，所述彈簧的熱變化可能影響彈簧提供的張力。圖4為圖3的橫截面。反射罩306的內(nèi)壁322經(jīng)高度研磨，以使來(lái)自熱絲110的能量反射回所述絲110，由此允許那個(gè)部分的絲110比沒(méi)有所述反射罩306的部分更快變熱。反射罩306的存在防止硅化，或防止在絲110上的涂覆并延長(zhǎng)絲110的壽命。反射罩306的內(nèi)部空間的直徑必須足夠?qū)挘苑乐菇z110接觸內(nèi)表面，但所述直徑也必須足夠窄，以允許所述絲110迅速加熱。反射罩306的內(nèi)壁322的直徑可與上文描述的直徑相同。圖5圖示多個(gè)根據(jù)本實(shí)用新型一些實(shí)施例的終端連接器。除非在下文注明，圖5中所示的終端連接器500包括與上文所述的終端連接器202的組件類似并執(zhí)行與上文所述的終端連接器202的組件的功能類似的功能的組件。具體來(lái)說(shuō)，終端連接器500包括基底508，所述基底508耦接至支撐結(jié)構(gòu)518，所述基底508具有導(dǎo)引裝置510，所述導(dǎo)引裝置510穿過(guò)所述基底508安置，其中所述基底508和導(dǎo)引裝置510與上文所述的基底302和導(dǎo)引裝置314類似并執(zhí)行與上文所述的基底302和導(dǎo)引裝置314的功能類似的功能。終端連接器500還包括反射罩512和彈簧514,所述反射罩512穿過(guò)導(dǎo)引裝置510安置,所述彈簧514圍繞所述反射罩512纏繞,其中所述反射罩512和彈簧514與上文所述的反射罩306和彈簧334類似并執(zhí)行與上文所述的反射罩306和彈簧334的功能類似的功能。終端連接器還包括絲夾516，所述絲夾516與上文所述的絲夾304類似并執(zhí)行與上文所述的絲夾304的功能類似的功能。圖5還示出了功率饋送裝置502，所述功率饋送裝置502具有連接電纜506耦接至電連接器504，以向終端連接器提供功率。除了終端連接器的幾何結(jié)構(gòu)和配置之外，終端連接器500與終端連接器 202之間的主要差異為張緊彈簧(514)的位置，所述張緊彈簧(514)比上文參照?qǐng)D3描述的終端連接器的彈簧更接近熱源。因此，本文提供用于在處理腔室中張緊絲并且遮蔽絲遠(yuǎn)離在所述處理腔室中使用的前驅(qū)氣體的設(shè)備。具有創(chuàng)造性的方法可有利地使在處理腔室中使用的絲的壽命增加，并且防止所述絲的硅化。盡管上文針對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施例，但可在不脫離本實(shí)用新型的基本范圍的情況下設(shè)計(jì)本實(shí)用新型的其它和進(jìn)一步實(shí)施例。
權(quán)利要求1.一種用于熱絲化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的終端連接器，所述終端連接器包括基底；絲夾，所述絲夾沿軸相對(duì)于所述基底可移動(dòng)地安置；反射罩，所述反射罩沿所述軸從所述絲夾沿第一方向延伸；以及張緊裝置，所述張緊裝置耦接至所述基底和絲夾，以沿與所述第一方向相反的第二方向偏移所述絲夾。
2.如權(quán)利要求1所述的終端連接器，其中所述基底還包括導(dǎo)引裝置，所述導(dǎo)引裝置穿過(guò)所述基底安置，以限制所述絲夾的除所述絲夾相對(duì)于所述基底的線性移動(dòng)外的沿所有方向的移動(dòng)；以及螺母和螺栓系統(tǒng)，所述螺母和螺栓系統(tǒng)用于將靜止的導(dǎo)引機(jī)構(gòu)附接至熱絲化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)。
3.如權(quán)利要求1所述的終端連接器，其中所述絲夾還包括第一夾持表面；以及第二夾持表面。
4.如權(quán)利要求3所述的終端連接器，其中所述第一夾持表面和所述第二夾持表面朝向彼此偏移，以向安置在所述絲夾內(nèi)的絲施加力。
5.如權(quán)利要求3所述的終端連接器，其中所述第一夾持表面和所述第二夾持表面通過(guò)彈簧、螺絲、楔形物或凸輪中的至少一個(gè)偏移。
6.如權(quán)利要求3所述的終端連接器，其中所述絲夾還包括內(nèi)部導(dǎo)管，其中所述第一夾持表面和所述第二夾持表面安置在所述內(nèi)部導(dǎo)管內(nèi)。
7.如權(quán)利要求1所述的終端連接器，其中所述反射罩還包括內(nèi)壁，所述內(nèi)壁界定與所述軸對(duì)準(zhǔn)的圓柱形開(kāi)口，并且所述內(nèi)壁沿所述軸延伸以覆蓋所述絲。
8.如權(quán)利要求7所述的終端連接器，其中所述圓柱形開(kāi)口的直徑為將要夾持在所述絲夾中的絲的直徑的約2倍至約5倍。
9.如權(quán)利要求7所述的終端連接器，其中所述反射罩的長(zhǎng)度為約5mm至約50mm。
10.如權(quán)利要求7所述的終端連接器，其中所述內(nèi)壁經(jīng)研磨以反射熱量。
11.如權(quán)利要求1所述的終端連接器，其中所述張緊裝置還包括螺母，所述螺母穿至所述絲夾上；墊圈，所述墊圈穿至所述螺母與所述基底之間的所述絲夾上；以及彈簧，所述彈簧圍繞著所述絲夾纏繞，從而使所述絲夾沿與所述第一方向相反的第二方向偏移。
12.如權(quán)利要求11所述的終端連接器，其中所述彈簧在第一末端處連接至所述螺母，并且在第二末端處連接至所述基底。
13.一種用于熱絲化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的終端連接器，所述終端連接器包括基底；絲夾，所述絲夾沿軸相對(duì)于所述基底可移動(dòng)地安置；導(dǎo)引裝置，所述導(dǎo)引裝置穿過(guò)所述基底安置，以限制所述絲夾的除所述絲夾相對(duì)于所述基底的線性移動(dòng)外的沿所有方向的移動(dòng)；反射罩，所述反射罩沿所述軸從所述絲夾沿第一方向延伸，所述反射罩包括內(nèi)壁，所述內(nèi)壁界定與所述軸對(duì)準(zhǔn)的圓柱形開(kāi)口，并且所述內(nèi)壁沿所述軸延伸以覆蓋所述絲，其中所述內(nèi)壁經(jīng)研磨以反射熱量；以及張緊裝置，所述張緊裝置耦接至所述基底和絲夾，以沿與所述第一方向相反的第二方向偏移所述絲夾。
14.如權(quán)利要求13所述的終端連接器，其中所述圓柱形開(kāi)口的直徑為將要夾持在所述絲夾中的絲的直徑的約2倍至約5倍。
15.如權(quán)利要求13所述的終端連接器，其中所述反射罩的長(zhǎng)度為約5_至約50_。
16.一種用于熱絲化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的終端連接器，所述終端連接器包括基底；絲夾，所述絲夾沿軸相對(duì)于所述基底可移動(dòng)地安置；導(dǎo)引裝置，所述導(dǎo)引裝置穿過(guò)所述基底安置，以限制所述絲夾的除所述絲夾相對(duì)于所述基底的線性移動(dòng)外的沿所有方向的移動(dòng)；反射罩，所述反射罩沿所述軸從所述絲夾沿第一方向延伸并且穿過(guò)所述導(dǎo)引裝置；彈簧，所述彈簧圍繞所述反射罩纏繞并且耦接于所述基底與所述絲夾之間，以使所述絲夾遠(yuǎn)離所述基底偏移；以及電連接器，所述電連接器電耦接至所述絲夾，以在使用期間當(dāng)絲固定于所述絲夾中時(shí)，向所述絲提供電功率。
專利摘要本文提供用于在熱絲化學(xué)氣相沉積(HWCVD)系統(tǒng)中的終端連接器。在一些實(shí)施例中，一種用于熱絲化學(xué)氣相沉積(HWCVD)系統(tǒng)的終端連接器可包括基底；絲夾，所述絲夾沿軸相對(duì)于所述基底可移動(dòng)地安置；反射罩，所述反射罩沿所述軸從所述絲夾沿第一方向延伸；以及張緊裝置，所述張緊裝置耦接至所述基底和絲夾，以沿與所述第一方向相反的第二方向偏移所述絲夾。
文檔編號(hào)C23C16/48GK202881386SQ20122022372
公開(kāi)日2013年4月17日 申請(qǐng)日期2012年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月12日
發(fā)明者普拉文·納爾萬(wàn)卡爾, 維克多·普什帕, 迪特爾·哈斯 申請(qǐng)人:應(yīng)用材料公司