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深最高占用分子軌道(HOMO)發射體裝置結構的制作方法

文檔序號:41754964發布日期:2025-04-29 18:23閱讀:6來源:國知局
深最高占用分子軌道(HOMO)發射體裝置結構的制作方法

本發明涉及供用作發射體的化合物;和包括其的裝置,如有機發光二極管。


背景技術:

1、出于多種原因,利用有機材料的光電裝置變得越來越受歡迎。用于制造所述裝置的許多材料相對較為便宜,因此有機光電裝置具有優于無機裝置的成本優勢的潛力。另外,有機材料的固有性質(例如其柔性)可以使其較適用于特定應用,如在柔性襯底上的制造。有機光電裝置的實例包括有機發光二極管/裝置(oled)、有機光電晶體管、有機光伏電池和有機光電檢測器。對于oled,有機材料可以具有優于常規材料的性能優勢。舉例來說,有機發射層發射光的波長通常可以容易地用適當的摻雜劑來調節。

2、oled利用有機薄膜,其在電壓施加于裝置上時會發射光。oled正成為用于如平板顯示器、照明和背光的應用中的日益受關注的技術。美國專利第5,844,363號、第6,303,238號和第5,707,745號中描述若干oled材料和配置,所述專利以全文引用的方式并入本文中。

3、磷光發射分子的一個應用是全色顯示器。針對此類顯示器的行業標準需要適合于發射特定顏色(稱為“飽和”色)的像素。具體來說,這些標準需要飽和紅色、綠色和藍色像素。或者,oled可經設計以發射白光。在常規液晶顯示器中,使用吸收濾光器過濾來自白色背光的發射以產生紅色、綠色和藍色發射。相同技術也可以用于oled。白色oled可以是單eml裝置或堆疊結構。可以使用所屬領域中所熟知的cie坐標來測量色彩。

4、如本文所用,術語“有機”包括可以用于制造有機光電裝置的聚合材料和小分子有機材料。“小分子”是指并非聚合物的任何有機材料,并且“小分子”可能實際上相當大。在一些情況下,小分子可以包括重復單元。舉例來說,使用長鏈烷基作為取代基并不會將某一分子從“小分子”類別中去除。小分子還可以并入聚合物中,例如作為聚合物主鏈上的側接基團或作為主鏈的一部分。小分子還可以充當樹枝狀聚合物的核心部分,所述樹枝狀聚合物由一系列構建在核心部分上的化學殼層組成。樹枝狀聚合物的核心部分可以是熒光或磷光小分子發射體。樹枝狀聚合物可以是“小分子”,并且認為當前在oled領域中使用的所有樹枝狀聚合物都是小分子。

5、如本文所用,“頂部”意指離襯底最遠,而“底部”意指最靠近襯底。在第一層被描述為“安置于”第二層“上方”的情況下,第一層被安置于離基板較遠處。除非規定第一層“與”第二層“接觸”,否則第一與第二層之間可以存在其它層。舉例來說,即使陰極和陽極之間存在各種有機層,仍可以將陰極描述為“安置于”陽極“上方”。

6、如本文所用,“溶液可處理”意指能夠以溶液或懸浮液的形式在液體介質中溶解、分散或傳輸和/或從液體介質沉積。

7、當認為配體直接促成發射材料的光敏性質時,所述配體可以被稱為“光敏性的”。當認為配體并不促成發射材料的光敏性質時,所述配體可以被稱為“輔助性的”,但輔助性配體可以改變光敏性配體的性質。

8、如本文所用,并且如所屬領域的技術人員通常將理解,如果第一能級較接近真空能級,那么第一“最高占用分子軌道”(highest?occupied?molecular?orbital,homo)或“最低未占用分子軌道”(lowest?unoccupied?molecular?orbital,lumo)能級“大于”或“高于”第二homo或lumo能級。由于將電離電位(ip)測量為相對于真空能級的負能量,因此較高homo能級對應于具有較小絕對值的ip(較不負(less?negative)的ip)。類似地,較高lumo能級對應于具有較小絕對值的電子親和性(ea)(較不負的ea)。在頂部是真空能級的常規能級圖上,材料的lumo能級高于相同材料的homo能級。“較高”homo或lumo能級表現為比“較低”homo或lumo能級更靠近這個圖的頂部。

9、如本文所用,并且如所屬領域的技術人員通常將理解,如果第一功函數具有較高絕對值,那么第一功函數“大于”或“高于”第二功函數。因為通常將功函數測量為相對于真空能級的負數,所以這意指“較高”功函數是更負的(more?negative)。在頂部是真空能級的常規能級圖上,“較高”功函數經說明為在向下方向上離真空能級較遠。因此,homo和lumo能級的定義遵循與功函數不同的定則。

10、關于oled和上文所述的定義的更多細節可以見于美國專利第7,279,704號中,所述專利以全文引用的方式并入本文中。


技術實現思路

1、根據一個實施例,還提供一種有機發光二極管/裝置(oled)。所述oled可以包括陽極、陰極和安置于所述陽極與所述陰極之間的有機層。根據一個實施例,所述有機發光裝置并入到一個或多個選自以下的裝置中:消費型產品、電子組件模塊和/或照明面板。

2、所公開主題的實施例可提供一種有機發光二極管(oled),其具有陽極、陰極、安置于所述陽極與所述陰極之間的發射層以及安置于所述發射層與所述陰極之間的空穴阻擋層。發射層可以包括磷光摻雜劑。所述磷光摻雜劑在室溫下在0.5%摻雜聚(甲基丙烯酸甲酯)(pmma)薄膜中具有伴隨大于或等于600nm的峰值最大波長的發射。所述磷光摻雜劑的最高占用分子軌道(homo)能量可以小于或等于-5.1ev,并且空穴阻擋層的homo能量可以比所述磷光摻雜劑的homo能量低至少0.1ev。

3、磷光摻雜劑的峰值最大波長可以大于或等于610nm、大于或等于620nm、大于或等于630nm、大于或等于650nm、大于或等于700nm、大于或等于750nm或大于或等于800nm。

4、oled可以將空穴阻擋層安置在發射層上。

5、磷光摻雜劑的homo能量可以小于或等于-5.2ev、小于或等于-5.3ev或小于或等于-5.4ev。空穴阻擋層的homo能量可以比磷光摻雜劑的homo能量低至少0.2ev、比磷光摻雜劑的homo能量低至少0.3ev或比磷光摻雜劑的homo能量低至少0.4ev。

6、空穴阻擋層可以包括式i化合物,其可以是以下中的一種或多種:

7、

8、

9、r1和r2各自可以獨立地表示單取代到最大可允許的取代或無取代。每個r1和r2可以獨立地為氫或氘、鹵素、烷基、環烷基、雜烷基、雜環烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、異腈、硫基(sulfanyl)、亞磺酰基、磺酰基、膦基和/或其組合。y可以是o、s、se、nar4、car4ar5和siar4ar5。每個ar1-ar5可以獨立地選自芳基、雜芳基和/或其組合,并且l可以是直接鍵或包含至少一個芳環的連接基團。每個r1和r2可以獨立地為氫或如芳基、雜芳基和/或其組合的取代基。y可以是o、s和/或nar4。在一些實施例中,式i化合物可以是空穴阻擋層中的唯一化合物。

10、式i化合物可以是以下中的一種或多種:

11、

12、磷光摻雜劑在室溫下在裝置中可以從三重激發態到基單態發射光。磷光摻雜劑可以是具有金屬-碳鍵的金屬配位絡合物。金屬可以是ir、os、pt、pd、ag、au或cu。金屬配位絡合物可以包括具有噠嗪、嘧啶、吡嗪和/或三嗪的化學部分的配體。金屬配位絡合物可具有式m(l1)x(l2)y(l3)z,其中l1、l2和l3可以是相同或不同的,其中x為1、2或3,其中y為0、1或2,其中z為0、1或2,其中x+y+z為金屬m的氧化態,其中l1、l2和l3可以各自獨立地選自:

13、

14、

15、其中l2和l3還可以是其中每個y1至y13獨立地選自碳和氮,其中y'可以是以下中的至少一種:b?re、n?re、p?re、o、s、se、c=o、s=o、so2、crerf、sirerf和gererf,其中re和rf可以任選地稠合或接合以形成環,其中每個ra、rb、rc和rd可以獨立地表示單取代到可能的最大數目的取代或無取代,其中每個ra、rb、rc、rd、re和rf獨立地選自氫、氘、鹵素、烷基、環烷基、雜烷基、雜環烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、異腈、硫基、亞磺酰基、磺酰基、膦基和其組合,并且其中ra、rb、rc和rd的任何兩個鄰近取代基任選地稠合或接合以形成環或形成多齒配體。

16、金屬配位絡合物可具有式ir(la)3、ir(la)(lb)2、ir(la)2(lb)、ir(la)2(lc)或ir(la)(lb)(lc),其中la、lb和lc彼此不同。金屬配位絡合物可具有式pt(la)(lb),其中la和lb可以是相同或不同的,并且其中la和lb可以任選地連接以形成四齒配體。

17、金屬配位絡合物可具有式ir(la)2(lc),其中la選自:

18、

19、

20、其中lc是并且其中每個ra和rb可以獨立地表示單取代到可能的最大數目的取代或無取代。每個ra和rb可以獨立地選自:氫、氘、鹵素、烷基、環烷基、雜烷基、雜環烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、異腈、硫基、亞磺酰基、磺酰基、膦基和其組合。ra和rb的任何兩個鄰近取代基可以任選地稠合或接合以形成環或形成多齒配體。

21、金屬配位絡合物可以選自:

22、

23、

24、

25、

26、

27、金屬配位絡合物可以是具有四齒配體的pt絡合物。四齒配體可以具有選自以下的四個配位原子:(兩個陰離子c、兩個中性n);(一個陰離子c、一個碳烯c、一個中性n和一個陰離子n);(兩個陰離子c、一個碳烯c、一個中性n);(一個陰離子c、一個陰離子n、兩個中性n);(一個陰離子c、一個陰離子o、兩個中性n);(兩個碳烯c、兩個陰離子n)。

28、電子阻擋層可以包括式ii化合物:

29、

30、其中r3、r4和r5可以各自獨立地表示單取代到最大可允許的取代或無取代,其中每個r3、r4和r5可以獨立地為氫或選自以下的取代基:氘、鹵素、烷基、環烷基、雜烷基、雜環烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、異腈、硫基、亞磺酰基、磺酰基、膦基和/或其組合,并且其中每個ar5和ar6可以獨立地選自芳基、雜芳基和/或其組合。每個r3、r4和r5可以獨立地為氫或選自芳基、雜芳基和/或其組合的取代基。

31、在所公開主題的實施例中,裝置可以是選自以下的至少一種類型:平板顯示器、計算機監視器、醫療監視器、電視機、告示牌、用于內部或外部照明和/或發信號的燈、平視顯示器、全透明或部分透明的顯示器、柔性顯示器、激光打印機、電話、蜂窩電話、平板電腦、平板手機、個人數字助理(pda)、可佩戴裝置、膝上型計算機、數碼相機、攝像機、取景器、具有有源區的微型顯示器(主對角線為2英寸或更小)、3-d顯示器、虛擬現實或增強現實顯示器、交通工具、包含多個平鋪在一起的顯示器的視頻墻、劇院或體育館屏幕,和指示牌。

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