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深最高占用分子軌道(HOMO)發射體裝置結構的制作方法

文檔序號:41754964發布日期:2025-04-29 18:23閱讀:來源:國知局

技術特征:

1.一種有機發光二極管oled,其包含:

2.根據權利要求1所述的oled,其中所述磷光摻雜劑的所述峰值最大波長選自由以下組成的群組:大于或等于610nm、大于或等于620nm、大于或等于630nm、大于或等于650nm、大于或等于700nm、大于或等于750nm和大于或等于800nm。

3.根據權利要求1所述的oled,其中所述磷光摻雜劑的homo能量選自由以下組成的群組:小于或等于-5.2ev、小于或等于-5.3ev和小于或等于-5.4ev。

4.根據權利要求1所述的oled,其中所述空穴阻擋層的homo能量選自由以下組成的群組:比所述磷光摻雜劑的homo能量低至少0.2ev、比所述磷光摻雜劑的homo能量低至少0.3ev和比所述磷光摻雜劑的homo能量低至少0.4ev。

5.根據權利要求1所述的oled,其中所述空穴阻擋層包含式i化合物,其為選自由以下組成的群組的至少一種:

6.根據權利要求5所述的oled,其中y選自由以下組成的群組:o、s和nar4。

7.根據權利要求1所述的oled,其中所述磷光摻雜劑是具有金屬-碳鍵的金屬配位絡合物。

8.根據權利要求7所述的oled,其中所述金屬選自由以下組成的群組:ir、os、pt、pd、ag、au和cu。

9.根據權利要求7所述的oled,其中所述金屬配位絡合物包含包括選自由以下組成的群組的化學部分的配體:噠嗪、嘧啶、吡嗪和三嗪。

10.根據權利要求7所述的oled,其中所述金屬配位絡合物具有式m(l1)x(l2)y(l3)z,其中l1、l2和l3能夠相同或不同,

11.根據權利要求10所述的oled,其中所述金屬配位絡合物具有選自由以下組成的群組的式:ir(la)3、ir(la)(lb)2、ir(la)2(lb)、ir(la)2(lc)和ir(la)(lb)(lc);其中la、lb和lc彼此不同。

12.根據權利要求10所述的oled,其中所述金屬配位絡合物具有式pt(la)(lb),其中la和lb能夠相同或不同,并且

13.根據權利要求11所述的oled,其中所述金屬配位絡合物具有式ir(la)2(lc),

14.根據權利要求1所述的oled,其中所述oled還包含電子阻擋層,其中所述電子阻擋層包含式ii化合物:

15.一種消費型產品,其包括包含以下的有機發光裝置oled:


技術總結
本申請涉及深最高占用分子軌道(HOMO)發射體裝置結構。所公開主題的實施例提供一種有機發光二極管OLED,其具有陽極、陰極、安置于所述陽極與所述陰極之間的發射層以及安置于所述發射層與所述陰極之間的空穴阻擋層。所述發射層可以包括磷光摻雜劑,其中所述磷光摻雜劑在室溫下在0.5%摻雜聚(甲基丙烯酸甲酯)PMMA薄膜中具有伴隨大于或等于600nm的峰值最大波長的發射。所述磷光摻雜劑的最高占用分子軌道HOMO能量可以小于或等于?5.1eV,并且所述空穴阻擋層的HOMO能量比所述磷光摻雜劑的HOMO能量低至少0.1eV。

技術研發人員:瓦季姆·阿達莫維奇,埃里克·A·瑪格里斯,皮埃爾-呂克·T·布德羅
受保護的技術使用者:環球展覽公司
技術研發日:
技術公布日:2025/4/28
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