技術特征：

1.一種硬質涂層應力原位控制方法，其特征在于，包括在金屬基體表面沉積金屬過渡層的步驟及在所述金屬過渡層上沉積氮化物薄膜的步驟，在沉積所述金屬過渡層時的溫度T₁高于沉積所述氮化物薄膜時的溫度T₂。

2.如權利要求1所述的硬質涂層應力原位控制方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、對已拋光的所述金屬基體進行超聲清洗；

步驟二、將所述金屬基體固定于磁控濺射真空室內，抽真空至5.0×10^-3 Pa，同時加熱基體至溫度T₁；通入Ar沉積所述金屬過渡層，當所述金屬過渡層厚度達到設定值時停止沉積；

步驟三、降低所述金屬基體溫度至T₂，T₁>T₂ ；通入N₂沉積所述氮化物薄膜，所述氮化物薄膜厚度達到設定值時停止沉積，降溫至室溫即得。

3.如權利要求1或2所述的硬質涂層應力原位控制方法，其特征在于，所述金屬基體為TC4鈦合金，所述金屬過渡層為CrAl過渡層，所述氮化物薄膜為CrAlN薄膜。

4.如權利要求3所述的硬質涂層應力原位控制方法，其特征在于，所述金屬過渡層的厚度為70nm，沉積溫度T₁為300℃；所述氮化物薄膜厚度為1.5μm - 2.6μm，沉積溫度T₂為100℃。

5.如權利要求2所述的硬質涂層應力原位控制方法，其特征在于，步驟一中，所述超聲清洗，所用清洗液為丙酮，清洗時間5-15min。

6.如權利要求2所述的硬質涂層應力原位控制方法，其特征在于，步驟二中，通入Ar的流量為30.0sccm；步驟三中，通入N₂的流量為5.0sccm。

7.如權利要求2所述的硬質涂層應力原位控制方法，其特征在于，步驟三中，CrAlN薄膜晶體結構為柱狀晶，沉積時間為180 min-300 min。

8.如權利要求3所述的硬質涂層應力原位控制方法，其特征在于，薄膜沉積裝置為射頻磁控濺射鍍膜機，所用靶材為CrAl金屬靶，Cr：Al=30：70 at%。