1.一種方形鈀納米片，其特征在于，具有面心立方的結構，外露晶面為{100}，且直接生長在氧化石墨烯表面。
2.一種根據權利要求1所述的方形鈀納米片的制備方法，其特征在于，步驟為：
將退火處理后的片狀氧化石墨烯與離子修飾劑、鈀前驅體、還原劑、分散劑與溶劑混合，經反應后得到方形鈀納米片；
所述的退火處理的溫度為60～120℃；
所述的離子修飾劑選自Br-。
3.根據權利要求2所述的方形鈀納米片的制備方法，其特征在于，所述的鈀前驅體選自氯鈀酸鈉，濃度為7×10-3～0.021mol/L。
4.根據權利要求2所述的方形鈀納米片的制備方法，其特征在于，所述的還原劑選自抗壞血酸，濃度為8.5×10-3～0.017mol/L。
5.根據權利要求2所述的方形鈀納米片的制備方法，其特征在于，所述的分散劑選自聚乙烯吡咯烷酮，濃度為1.14×10-4～2.27×10-4mol/L。
6.根據權利要求2所述的方形鈀納米片的制備方法，其特征在于，所述的溶劑為超純水，25℃下的電阻率為18MΩ*cm。
7.根據權利要求2所述的方形鈀納米片的制備方法，其特征在于，所述的離子修飾劑為溴化鉀，濃度為0.0021～0.125mol/L。
8.根據權利要求2所述的方形鈀納米片的制備方法，其特征在于，所述反應的溫度為60～90℃。
9.根據權利要求2～8任一權利要求所述的方形鈀納米片的制備方法，其特征在于，所述的片狀氧化石墨烯經Hummers法制備得到。
10.根據權利要求9所述的方形鈀納米片的制備方法，其特征在于，所述的退火處理的溫度為60～100℃。