1.一種ICP增強多靶磁控濺射裝置，其特征在于：包括真空室、設(shè)于所述真空室頂部的三個濺射靶、設(shè)于所述真空室內(nèi)的ICP線圈和基片臺以及與所述真空室相連通的泵機組，三個所述濺射靶的直徑均為60mm，三個所述濺射靶的軸線與水平面之間的夾角均為20°-50°，三個所述濺射靶沿周向均勻間隔分布，三個所述濺射靶均聚焦于所述基片臺的中心，三個所述濺射靶分別與第一射頻電源、第二射頻電源、第三射頻電源相連接，所述ICP線圈設(shè)于所述濺射靶與所述基片臺之間，所述ICP線圈連接有第四射頻電源，所述基片臺連接有直流穩(wěn)壓電源。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ICP增強多靶磁控濺射裝置，其特征在于，三個所述濺射靶與所述第一射頻電源、第二射頻電源、第三射頻電源之間分別連接有第一匹配器、第二匹配器、第三匹配器，所述ICP線圈與所述第四射頻電源之間連接有第四匹配器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ICP增強多靶磁控濺射裝置，其特征在于，所述ICP線圈的直徑為180mm，所述ICP線圈中心與所述濺射靶之間的距離為40mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ICP增強多靶磁控濺射裝置，其特征在于，所述基片臺采用不銹鋼材質(zhì)制成，所述基片臺的直徑為150mm，所述基片臺中心與所述濺射靶之間的距離為80mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ICP增強多靶磁控濺射裝置，其特征在于，所述真空室側(cè)壁上安裝有朗繆爾探針，所述朗繆爾探針連接有第一控制器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ICP增強多靶磁控濺射裝置，其特征在于，所述基片臺上放置有減速場能量分析儀探頭，所述減速場能量分析儀探頭連接有第二控制器。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ICP增強多靶磁控濺射裝置，其特征在于，所述ICP線圈外套有絕緣陶瓷包覆層。