技術特征：

技術總結
一種氮化物材料激光剝離后的表面處理方法，包括以下步驟：通過激光剝離方式制備得到氮化物復合襯底或者氮化物單晶襯底；選擇一腔室，往該腔室中填充具有揮發性的腐蝕液體，將氮化物復合襯底或者氮化物單晶襯底放入該腔室中的液面上方，對腔室進行密封處理使該腔室形成密閉的腔室，放置預定時間T，利用腐蝕液體揮發產生的氣氛對氮化物復合襯底或者氮化物單晶襯底的激光剝離后的表面進行腐蝕處理；對腔室中的氮化物復合襯底或氮化物單晶襯底進行清洗、吹干，完成對激光剝離表面的氣氛腐蝕處理。本發明利用氣氛腐蝕方法對剝離后的氮化物表面進行處理，去除剝離表面上殘余的金屬等雜質，改善剝離表面的成份和粗糙度，提高后期同質外延效果和芯片性能。

技術研發人員：汪青;梁文林;任俊杰;羅家懋;張集發;童玉珍;孫明;張國義
受保護的技術使用者：東莞市中鎵半導體科技有限公司
技術研發日：2017.05.26
技術公布日：2017.09.29